磁控溅射镀膜设备制造技术

本技术公开了一种磁控溅射镀膜设备。该磁控溅射镀膜设备包括主体、靶材组件、卷绕输送组件、阻隔件以及惰性气体气源。主体上设置有真空腔；靶材组件设置于真空腔内；卷绕输送组件设置于真空腔内，卷绕输送组件包括镀膜辊和卷绕输送辊组，镀膜辊设置于靶材组件的外侧，卷绕输送辊组至少用于将基膜放卷至镀膜辊上或者从镀膜辊上收卷；阻隔件为多个，多个阻隔件至少设置于靶材组件的两侧，阻隔件上设置有气流通道，气流通道的出口与镀膜辊之间具有供基膜穿过的第一间隙；惰性气体气源与气流通道连通。本技术可以解决现有技术中磁控溅射镀膜设备工作时，靶材原子容易逸散到真空腔内的管路、元器件上的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及真空镀膜，具体而言，涉及一种磁控溅射镀膜设备。

技术介绍

1、导电金属薄膜是一种表面镀有金属的一种高分子材料，广泛运用于锂离子电池中，在锂离子电池中主要作为电池集流体使用。

2、磁控溅射镀膜设备是制备导电金属薄膜的常用设备，该磁控溅射镀膜设备是将涂层材料做为靶阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到基膜上形成沉积层的一种镀膜技术，涂层材料一直保持固态，不形成熔池。如公开号为cn108754446a的中国技术专利公开的磁控溅射镀膜设备中，导电金属薄膜的基膜自放卷辊输出直至收卷辊处成卷收回，过程中经过主冷却辊、若干位于主冷却辊旁的溅射靶，溅射靶中的靶材原子主要溅射到基膜上形成沉积层，但也有部分靶材原子会逸散到真空腔内，对真空腔内的管路、元器件等造成影响。

技术实现思路

1、本技术的主要目的在于提供一种磁控溅射镀膜设备，以解决现有技术中磁控溅射镀膜设备工作时，靶材原子容易逸散到真空腔内的管路、元器件上的问题。

2、根据本技术的一个方面，提供了一种磁控溅射镀膜设备，所述磁控溅射镀膜设备用于对基膜进行镀膜，包括：

3、主体，所述主体上设置有真空腔；

4、靶材组件，所述靶材组件设置于所述真空腔内；

5、卷绕输送组件，所述卷绕输送组件设置于所述真空腔内，所述卷绕输送组件包括镀膜辊和卷绕输送辊组，所述镀膜辊设置于所述靶材组件的外侧，所述卷绕输送辊组至少用于将基膜放卷至所述镀膜辊上或者从所述镀膜辊上收卷；

<p>6、阻隔件，所述阻隔件为多个，多个所述阻隔件至少设置于靶材组件的两侧，所述阻隔件上设置有气流通道，所述气流通道的出口与所述镀膜辊之间具有供所述基膜穿过的第一间隙；

7、惰性气体气源，所述惰性气体气源与所述气流通道连通。

8、进一步地，所述阻隔件包括多块板体，多块所述板体围设形成所述气流通道，且所述气流通道具有靠近所述出口的收窄段，沿靠近所述出口的方向,所述收窄段的横截面积逐渐变小。

9、进一步地，所述出口为长条孔，所述出口的长度不小于所述镀膜辊的长度，所述镀膜辊的长度为镀膜辊在自身轴线方向上的长度。

10、进一步地，所述气流通道沿所述镀膜辊的径向延伸；或者，

11、沿所述气流通道的进气方向，所述气流通道朝向靠近所述靶材组件的方向倾斜。

12、进一步地，所述卷绕输送辊组包括放卷辊、收卷辊以及至少两个张紧辊，所述放卷辊设置于所述镀膜辊的输入侧，至少一个所述张紧辊设置于所述收卷辊的输入侧和所述放卷辊之间，所述收卷辊设置于所述镀膜辊的输出侧，至少一个所述张紧辊设置于所述收卷辊与所述镀膜辊的输出侧之间。

13、进一步地，沿所述镀膜辊的圆周方向，所述靶材组件两侧的所述阻隔件之间的最小间距为所述镀膜辊周长的50％至75％。

14、进一步地，所述靶材组件的两侧均设置有多个所述阻隔件，多个所述阻隔件沿所述镀膜辊的圆周方向依次间隔设置。

15、进一步地，所述第一间隙的宽度大于等于8微米，且小于等于10毫米。

16、进一步地，所述磁控溅射镀膜设备还包括隔板，所述隔板设置于所述阻隔件靠近所述靶材组件的一侧，且所述隔板与所述镀膜辊之间具有第二间隙。

17、进一步地，所述第二间隙的宽度大于等于8微米，且小于等于10毫米。

18、在本技术中，由于靶材组件的两侧，即靠近镀膜辊的输入侧和输出侧的两侧均设置有阻隔件，且该阻隔件上设置有气流通道，惰性气体气源与该气流通道连通。当磁控溅射设备工作时，惰性气体气源可以向气流通道持续通入惰性气体，该惰性气体从出口流出之后，可以在第一间隙内形成气帘或者气幕，该气帘或者气幕可以将靶材组件所处的空间和外部空间隔离开，如此，能够防止靶材组件所处空间内的靶材原子从第一间隙处逸散至阻隔件远离靶材组件的一侧，进而可以避免靶材原子沉积在磁控溅射设备的其他管路或者元器件上而对该管路或者元器件造成影响。

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【技术保护点】

1.一种磁控溅射镀膜设备，所述磁控溅射镀膜设备用于对基膜(100)进行镀膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述阻隔件(40)包括多块板体，多块所述板体围设形成所述气流通道(41)，且所述气流通道(41)具有靠近所述出口(411)的收窄段(42)，沿靠近所述出口(411)的方向,所述收窄段(42)的横截面积逐渐变小。

3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述出口(411)为长条孔，所述出口(411)的长度不小于所述镀膜辊(31)的长度，所述镀膜辊(31)的长度为镀膜辊(31)在自身轴线方向上的长度。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述气流通道(41)沿所述镀膜辊(31)的径向延伸；或者，

5.根据权利要求1或2或4所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卷绕输送辊组(32)包括放卷辊(321)、收卷辊(322)以及至少两个张紧辊(323)，所述放卷辊(321)设置于所述镀膜辊(31)的输入侧，至少一个所述张紧辊(323)设置于所述收卷辊(322)的输入侧和所述放卷辊(321)之间，所述收卷辊(322)设置于所述镀膜辊(31)的输出侧，至少一个所述张紧辊(323)设置于所述收卷辊(322)与所述镀膜辊(31)的输出侧之间。

6.根据权利要求1或2或4所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，沿所述镀膜辊(31)的圆周方向，所述靶材组件(20)两侧的所述阻隔件(40)之间的最小间距为所述镀膜辊(31)周长的50％至75％。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述靶材组件(20)的两侧均设置有多个所述阻隔件(40)，多个所述阻隔件(40)沿所述镀膜辊(31)的圆周方向依次间隔设置。

8.根据权利要求1、2、4以及7中任一项所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述第一间隙(50)的宽度大于等于8微米，且小于等于10毫米。

9.根据权利要求1、2、4以及7中任一项所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述磁控溅射镀膜设备还包括隔板(80)，所述隔板(80)设置于所述阻隔件(40)靠近所述靶材组件(20)的一侧，且所述隔板(80)与所述镀膜辊(31)之间具有第二间隙(60)。

10.根据权利要求9所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述第二间隙(60)的宽度大于等于8微米，且小于等于10毫米。

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【技术特征摘要】

1.一种磁控溅射镀膜设备，所述磁控溅射镀膜设备用于对基膜(100)进行镀膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述阻隔件(40)包括多块板体，多块所述板体围设形成所述气流通道(41)，且所述气流通道(41)具有靠近所述出口(411)的收窄段(42)，沿靠近所述出口(411)的方向,所述收窄段(42)的横截面积逐渐变小。

3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述出口(411)为长条孔，所述出口(411)的长度不小于所述镀膜辊(31)的长度，所述镀膜辊(31)的长度为镀膜辊(31)在自身轴线方向上的长度。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述气流通道(41)沿所述镀膜辊(31)的径向延伸；或者，

5.根据权利要求1或2或4所述的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卷绕输送辊组(32)包括放卷辊(321)、收卷辊(322)以及至少两个张紧辊(323)，所述放卷辊(321)设置于所述镀膜辊(31)的输入侧，至少一个所述张紧辊(323)设置于所述收卷辊(322)的输入侧和所述放卷辊(321)之间，所述收卷辊(322)设置于所述镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧世伟，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：重庆金美新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：