【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，具体涉及一种封装结构及封装器件。
技术介绍
1、在对半导体电子元件进行封装的过程中，通常会在基板上依次制作金属布线层以及焊接点，再将电子元件连接到焊接点上。在金属布线层的制作过程中，金属布线层内的走线通常采用电镀金属(例如，铜)的方式进行制作。然而，随着对大尺寸电子元件成品的需求的增大，基板以及金属布线层的尺寸也增大，这样导致在电镀金属的过程中容易出现电镀金属膜厚不均一的问题，进而影响金属布线层内的走线厚度的均一性。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种封装结构及封装器件，用以解决相关技术中金属布线层内的走线厚度不均一的问题。
2、一方面，本申请实施例提供一种封装结构，该封装结构包括：基板、位于所述基板上的辅助电极层、位于所述辅助电极层上的介质层、以及位于所述介质层上的金属布线层；其中，所述辅助电极层包括辅助电极，所述金属布线层包括金属走线，所述金属走线包括种子金属层和生长金属层，所述种子金属层通过所述介质层上的过孔与所述辅助电极电连接，所述辅助电极用于...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属走线包括第一走线和第二走线，所述过孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第一走线和所述第二走线分别通过所述第一子过孔和所述第二子过孔与所述辅助电极电连接。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构具有第一电子元件区和第二电子元件区，所述介质层在所述第一电子元件区和所述第二电子元件区之间设有第一开口。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述辅助电极层还包括与所述辅助电极电连接的过渡电极，所述过渡电极位于所述第一电子元件...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属走线包括第一走线和第二走线，所述过孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第一走线和所述第二走线分别通过所述第一子过孔和所述第二子过孔与所述辅助电极电连接。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构具有第一电子元件区和第二电子元件区，所述介质层在所述第一电子元件区和所述第二电子元件区之间设有第一开口。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述辅助电极层还包括与所述辅助电极电连接的过渡电极，所述过渡电极位于所述第一电子元件区和所述第二电子元件区之间，且所述第一开口暴露部分所述过渡电极。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属布线层包括多个子布线层和位于相邻两个所述子布线层之间的第一绝缘层，至少一条所述金属走线位于多个所述子布线层中靠近所述基板一侧的所述子布线层内，所述第一绝缘层在所述第一电子元件区和所述第二电子元件区之间设有第二开口，且所述第二开口暴露部分所述过渡电极。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述金属布线层远离所述基板一侧的焊接层，所述布线层包括与所述辅助电极电连接的连接走线以及与所述焊接层电连接的互联走线，所述互联走线的厚度大于所述连接走线的厚度。
7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述金属布线层上且依次设置的第二绝缘层和焊接层，所述第二绝缘层在所述第一电子元件区和所述第二电子元件区之间设有第三开口，且所述第三开口暴露部分所述过渡电极。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述金属布线层远离所述基板一侧的焊接层，所述焊接层包括多个第一导电垫...
【专利技术属性】
技术研发人员：周黎斌，赵锐，张卓，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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