一种亚铜基抗热猝灭荧光材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种亚铜基抗热猝灭荧光材料及其制备方法和应用。所述荧光材料的化学式为：[(pmmb)<subgt;4</subgt;Cu<subgt;6</subgt;I<subgt;4</subgt;(CN)<subgt;2</subgt;]<subgt;n</subgt;，其中配体pmmb为1,2‑双((2‑甲基‑1H‑咪唑‑1‑基)甲基)苯；所述荧光材料属于单斜晶系，空间群为C12/m1，晶胞参数为α＝90°，β＝98.596(3)°，γ＝90°，Z＝2，制备方法为：将CuI、配体1,2‑双((2‑甲基‑1H‑咪唑‑1‑基)甲基)苯、乙腈和水的混合溶剂加入到反应釜中进行加热反应，反应完成后冷却至室温，随后过滤、洗涤、干燥得到荧光材料。本发明专利技术的荧光材料在室温下表现出高效的固态发射，发光效率高，并随着温度的变化，表现出出色的稳定性能，在80K‑500K的宽温度范围内，出现零热猝灭现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电功能材料领域，具体涉及一种亚铜基抗热猝灭荧光材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、目前，根据芯片的不同，能实现白光的技术主要有三种，分别是多芯片白光led、紫外光激发白光led和蓝光激发白光led的方法。蓝光激发白光led的主流方式是将蓝色二极管芯片与y3al5o12:ce3+(yag:ce3+)黄色荧光粉相结合。yag:ce3+属于性能卓越的蓝光芯片激发荧光粉，具备较高的光致发光量子产率(qy)以及良好的热稳定性。然而，yag:ce3+的发射光谱缺少红光成分，这给创建高显色指数(cri，ra>80)和低相关色温的白光led带来了挑战。为应对这一挑战需要引入适宜的红光荧光粉以补充led中的红光成分。此外，led的高工作温度常常导致荧光粉的发光效率低下，以及更多的激发电子通过非辐射弛豫返回基态。现有高热稳定性荧光粉，如(sr,ca)alsin3:eu2+和srsi2o2n2:eu2+，在200℃时仍会出现18％和20％的发射损失，热猝灭效应改变了白光的平衡，严重限制了荧光粉的发展。

2、亚铜作为一种廉价的金属，在众多应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种亚铜基抗热猝灭荧光材料，其特征在于，所述荧光材料的化学式为：[(pmmb)4Cu6I4(CN)2]n，其中配体pmmb为1,2-双((2-甲基-1H-咪唑-1-基)甲基)苯；所述荧光材料属于单斜晶系，空间群为C12/m1，晶胞参数为α＝90°，β＝98.596(3)°，γ＝90°，Z＝2，

2.根据权利要求1所述的一种亚铜基抗热猝灭荧光材料，其特征在于：晶体中Cu+是四配位，其最小不对称单元结构的金属中心为[Cu6I4]，金属中心[Cu6I4]通过其Cu原子与氰基及配体pmmb上的N原子连接，形成二维网状结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种亚铜基抗热猝...

【技术特征摘要】

1.一种亚铜基抗热猝灭荧光材料，其特征在于，所述荧光材料的化学式为：[(pmmb)4cu6i4(cn)2]n，其中配体pmmb为1,2-双((2-甲基-1h-咪唑-1-基)甲基)苯；所述荧光材料属于单斜晶系，空间群为c12/m1，晶胞参数为α＝90°，β＝98.596(3)°，γ＝90°，z＝2，

2.根据权利要求1所述的一种亚铜基抗热猝灭荧光材料，其特征在于：晶体中cu+是四配位，其最小不对称单元结构的金属中心为[cu6i4]，金属中心[cu6i4]通过其cu原子与氰基及配体pmmb上的n原子连接，形成二维网状结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种亚铜基抗热猝灭荧光材料的制备方法，其特征在于：将cui、配体1,2-双((2-甲基-1h-咪唑-1-基)甲基)苯、乙腈和水的混合溶剂加入到反应釜中进行加热反应，反应完成后冷却至室温，随后过滤、洗涤、干燥后得到荧光材料。

4.根据权利要求3所述的一种亚铜基抗热猝灭荧光材料的制备方法，其特征在于：配体pmmb与cui的摩尔比为1:3.5～4.5。

5.根据权利要求3所述的一种亚铜基抗热猝灭荧光材料的制备方法，其特征在于：混合溶剂中乙腈与水的体积比为2.6～3.6:1；混合溶剂与配体pmmb的质量比为29～28：1。

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【专利技术属性】
技术研发人员：黄薇，陈杨，吴大雨，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：