本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物之上的第一和第二栅极电介质层。第一和第二栅极电极分别在第一和第二栅极电介质层之上，第一和第二栅极电极都具有带顶表面的绝缘帽。第一电介质间隔体与第一栅极电极的第一侧相邻。沟槽接触结构在与第一和第二电介质间隔体相邻的半导体源极或漏极区之上，沟槽接触结构包括导电结构上的绝缘帽，沟槽接触结构的绝缘帽具有与第一和第二栅极电极的绝缘帽大体上共面的顶表面。
【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言，10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。
技术介绍
1、过去几十年来，集成电路中特征的缩放已经成为不断成长的半导体行业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征能够使半导体芯片的有限占地面积上的功能单元的密度增大。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入增大数量的存储器或逻辑器件，从而带来具有更大容量的产品的制造。然而，对越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件性能的必要性变得越来越重要。
2、常规和当前已知制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，将来技术节点所需的功能部件的制造可能需要在当前制造工艺中引入新方法或整合新技术，或者用其取代当前制造工艺。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述绝缘栅极帽结构中具有一个或多个附加接缝。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述绝缘栅极帽结构包括硅和氮。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述栅极电介质层包括铪和氧。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍状物、所述第二半导体鳍状物、所述第三半导体鳍状物、所述第四半导体鳍状物、所述第五半导体鳍状物、所述第六半导体鳍状物、所述第七半导体鳍状物或所述第八半导体鳍状物中的所述一个或多个包括硅。
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述绝缘栅极帽结构中具有一个或多个附加接缝。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述绝缘栅极帽结构包括硅和氮。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述栅极电介质层包括铪和氧。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍状物、所述第二半导体鳍状物、所述第三半导体鳍状物、所述第四半导体鳍状物、所述第五半导体鳍状物、所述第六半导体鳍状物、所述第七半导体鳍状物或所述第八半导体鳍状物中的所述一个或多个包括硅。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍状物、所述第二半导体鳍状物、所述第三半导体鳍状物、所述第四半导体鳍状物、所述第五半导体鳍状物、所述第六半导体鳍状物、所述第七半导体鳍状物或所述第八半导体鳍状物中的所述一个或多个包括硅和锗。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍状物、所述第二半导体鳍状物、所述第三半导体鳍状物、所述第四半导体鳍状物、所述第五半导体鳍状物、所述第六半导体鳍状物、所述第七半导体鳍状物和所述第八半导体鳍状物与下层半导体衬底连续。
8.一种集成电路结构，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第三间隔大于所述第一间隔。
10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述绝缘栅极帽结构中具有一个或多个附加接缝。
11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述绝缘栅极帽结构包括硅和氮。
12.根据权利要求8所...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·W·杨，T·加尼，A·马德哈范，M·L·哈藤多夫，C·P·奥特，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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