【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体制造设备，具体涉及一种喷涂装置及涂布显影设备。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，目标图案从掩膜板转移到晶圆上需要经过曝光及显影工艺。曝光是将曝光设备中光源装置所发出的光线，透过包含目标图案的掩膜板照射在晶圆表面，对晶圆上涂布的光刻胶进行曝光处理的工艺。显影是涂布显影液在光刻胶上，使正性光刻胶的曝光区(或负性光刻胶的非曝光区)在显影液中溶解，从而将目标图案从掩膜板上转移到晶圆上的工艺。
2、涂布显影设备包括显影喷嘴，涂布显影液的过程中，晶圆静止不动，显影喷嘴从晶圆边缘的一侧直线扫描至晶圆的另一侧，将显影液均匀喷涂在光刻胶的表面。
3、现有的涂布显影设备，在涂布显影液的过程中，若显影喷嘴的移动速度过慢，则会出现显影液提前扩散到显影喷嘴前方并提前与光刻胶反应，导致反应的生成物污染显影喷嘴；若显影喷嘴的移动速度过快，底部的光刻胶会显影不够充分，从而造成显影不足与不完全显影的缺陷。为了解决显影不足与不完全显影的问题，现有的显影工艺一般会增加一次显影喷涂，导致显影工艺时间显著增加。
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【技术保护点】
1.一种喷涂装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷气端口包括多个沿所述长度方向设置的喷气孔，相邻所述喷气孔之间具有第一间隔区，所述喷气端口在所述长度方向的尺寸等于全部所述喷气孔在所述长度方向上的尺寸与全部所述第一间隔区在所述长度方向上的尺寸之和。
3.根据权利要求2所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷气孔与所述喷液端口在所述宽度方向上的间距为2毫米～3毫米。
4.根据权利要求1所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷液端口包括多个沿所述长度方向设置的喷液孔，相邻所述喷液孔之间具有第二间隔区，所述喷液端...
【技术特征摘要】
1.一种喷涂装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷气端口包括多个沿所述长度方向设置的喷气孔，相邻所述喷气孔之间具有第一间隔区，所述喷气端口在所述长度方向的尺寸等于全部所述喷气孔在所述长度方向上的尺寸与全部所述第一间隔区在所述长度方向上的尺寸之和。
3.根据权利要求2所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷气孔与所述喷液端口在所述宽度方向上的间距为2毫米～3毫米。
4.根据权利要求1所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷液端口包括多个沿所述长度方向设置的喷液孔，相邻所述喷液孔之间具有第二间隔区，所述喷液端口在所述长度方向的尺寸等于全部所述喷液孔在所述长度方向上的尺寸与全部所述第二间隔区在所述长度方向上的尺寸之和。
5.根据权利要求4所述的喷涂装置，其特征在于，所述喷涂装置还包括控制阀组件，所述控制阀组件控制所述喷液孔导通或截止，导通的所述喷液孔在所述长度方向上的尺寸与导通的所述喷液孔之间的所述第二间隔区在所述长度方向上的尺寸之和为所述喷液端口的开口长度；
6.根据权利要求5所述的喷涂装置，其特征在于，所述控制阀组件包括两个阀板和两个平移结构，所述喷液孔具有相对设置的入口端和出口...
【专利技术属性】
技术研发人员：李刘皓，
申请(专利权)人：深圳市章阁仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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