一种装载晶圆减震装置制造方法及图纸

技术编号:44164056 阅读:28 留言:0更新日期:2025-01-29 10:36
本发明专利技术公开了一种装载晶圆减震装置,半导体材料技术领域,该装置包括:装载手臂本体、两个导向件和两个支撑件;两个支撑件分别固定设置在装载手臂本体的装载部的两侧;支撑件上开设有第一水流道,装载手臂本体上靠近支撑件的位置开设有与第一水流道连通的第二水流道;第二水流道与外部连通;第一水流道的进水口的位置距离提拉部的最大高度小于第二水流道的出水口的位置距离提拉部的最小高度;其中,晶圆通过导向件后进入支撑件。本发明专利技术通过导向件反弹力水浮晶圆导向,提升装载手臂的晶圆装载稼动率;第一水流道和第二水流道排水,该排水压力的反作用力对晶圆增加了浮力作用,从而可以对晶圆下降过程进行缓冲减震,提升了晶圆的制作品质良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料,尤其涉及一种装载晶圆减震装置


技术介绍

1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的衬底硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在晶圆的生产过程中,有一项工艺是对晶圆的双面进行研磨,晶圆研磨的技术众多,现代半导体工业中普遍采用的研磨方法为化学-机械研磨法(cmp),利用化学机械研磨方式,将晶圆的蚀刻面平整化为纳米级平滑度,并兼顾硅片的翘曲度、平坦度等各项指标,避免硅片在高端用途中微影蚀刻制程中遭遇到问题,因此,晶圆研磨是半导体加工工艺中的重要一环。

2、对于晶圆衬底加工来讲,晶圆移载装载晶圆放入承载手臂的凹槽中,在现有技术中,这一工序由非金属材料做支撑凹槽,非金属支撑凹槽与晶圆磕碰、划擦引起晶圆边角划痕影响制程端晶圆良率、极易影响晶圆品质。


技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题,本专利技术提供了一种装载晶圆减震装置。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

2、本专利技术实施例第一方面提供一种装载晶圆减震装置,包括:装载手臂本体、两个导向件和两本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种装载晶圆减震装置,其特征在于,包括:装载手臂本体、两个导向件和两个支撑件;

2.如权利要求1所述的一种装载晶圆减震装置,其特征在于,所述第一水流道和所述第二水流道中的流体的流向与所述支撑件的支撑槽的槽底所在圆的径向平行。

3.如权利要求2所述的一种装载晶圆减震装置,其特征在于,所述第一水流道位于所述支撑槽的槽底的中间。

4.如权利要求1所述的一种装载晶圆减震装置,其特征在于,所述导向件朝向内侧的表面上开设有导向通槽;

5.如权利要求4所述的一种装载晶圆减震装置,其特征在于,所述导向通槽的宽度由槽口至槽底逐渐减小。

6.如...

【技术特征摘要】

1.一种装载晶圆减震装置,其特征在于,包括:装载手臂本体、两个导向件和两个支撑件;

2.如权利要求1所述的一种装载晶圆减震装置,其特征在于,所述第一水流道和所述第二水流道中的流体的流向与所述支撑件的支撑槽的槽底所在圆的径向平行。

3.如权利要求2所述的一种装载晶圆减震装置,其特征在于,所述第一水流道位于所述支撑槽的槽底的中间。

4.如权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:葛成重鲍建盈关仁杰王宏声赵海荣
申请(专利权)人:北京日扬弘创智能装备有限公司
类型:发明
国别省市:

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