本公开涉及化学气相沉积制备技术领域，尤其是涉及一种加热装置、CVD设备及方法。加热装置包括线圈组件、石墨盘和导热垫片，线圈组件包括线圈和供电装置，线圈用于设置在CVD设备的腔室的周向外表面，供电装置用于向线圈供电，以使腔室内产生磁场；石墨盘用于安装于腔室内，石墨盘能够产生热量；导热垫片位于石墨盘上，与石墨盘同轴设置，导热垫片的直径小于石墨盘的直径；导热垫片用于承托晶圆，晶圆的直径大于导热垫片的直径，晶圆包括第一区域和第二区域，第一区域能够与导热垫片直接接触，第二区域与石墨盘之间间隙设置。通过热传导和热辐射相结合的加热方式，提高了晶圆温度分布的均匀性，有利于提高二维材料薄膜的均匀性和质量。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及化学气相沉积制备，尤其是涉及一种加热装置、cvd设备及方法。
技术介绍
1、采用冷壁化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)反应装置制备二维材料(例如石墨烯、二硫化钼、mxene等)薄膜时，晶圆温度分布的均匀性直接关系到薄膜的厚度均匀性和质量。由于电磁感应的集肤效应，当高频电场或电磁波通过导体时，其中能量主要集中在导体表面附近。因此，集肤效应使得石墨盘及晶圆表面的温度分布很不均匀，靠近边缘的区域温度较高，而靠近中间的区域温度较低，从而影响了薄膜的厚度均匀性和质量。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种加热装置、cvd设备及方法，以提高二维材料薄膜的厚度均匀性和质量。
2、基于上述目的，本公开提供了一种加热装置，所述加热装置应用于cvd设备的腔室，所述加热装置包括：
3、线圈组件，所述线圈组件包括线圈和供电装置，所述线圈用于设置在所述腔室的周向外表面，所述供电装置用于向所述线圈供电，以使所述腔室内产生磁场；
>4、石墨盘，所述石本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种加热装置，其特征在于，应用于CVD设备的腔室，所述加热装置包括：
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述导热垫片的半径为所述石墨盘的半径的0.3～0.9倍；优选的，所述导热垫片的半径为所述晶圆的半径的0.35～0.8倍。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述导热垫片的厚度为0.5～1mm。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述线圈的轴向尺寸大于所述石墨盘的轴向尺寸。
5.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述线圈的中心与所述石墨盘的中心在同一平面内，其中，所述线圈的中心为所述线圈的轴线...
【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，应用于cvd设备的腔室，所述加热装置包括：
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述导热垫片的半径为所述石墨盘的半径的0.3～0.9倍；优选的，所述导热垫片的半径为所述晶圆的半径的0.35～0.8倍。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述导热垫片的厚度为0.5～1mm。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述线圈的轴向尺寸大于所述石墨盘的轴向尺寸。
5.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述线圈的中心与所述石墨盘的中心在同一平面内，其中，所述线圈的中心为所述线圈的轴线上的一个点，该点到所述线圈的两端之间的距离相等，所述平面垂直...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙靖宇，贾丽，刘忠范，魏文泽，张钦迟，蔡阿利，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，
类型：发明
国别省市：
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