半导体器件及其制备方法和半导体设备技术

本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法和半导体设备。制备方法包括：将基底置于沉积腔室的承载台上，于基底表面形成初始材料层；承载台上开设有若干个吸附孔，承载台用于承载并将热量传输至基底，初始材料层包括异常区，吸附孔在基底上的投影位于异常区；确认异常区的初始材料层对应的参数信息，参数信息用于表征初始材料层的厚度；根据参数信息，调整对异常区的初始材料层进行化学机械研磨的第一研磨参数。避免异常区的初始材料层的膜厚引起的缺陷，提高半导体器件的产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法和半导体设备。

技术介绍

1、浅槽隔离的高纵横比工艺（sti harp，shallow trench isolation high aspectratio process）主要应用于sti 沟槽的填充，包括：第一步，在形成有沟槽的基底上形成二氧化硅膜层，二氧化硅膜层填满沟槽并延伸至有源区的氮化硅层上；第二步，化学机械研磨去除基底表面多余的二氧化硅膜层，保留沟槽中的二氧化硅膜层作为浅槽隔离结构实现器件的绝缘。

2、二氧化硅膜层局部偏厚时，化学机械研磨之后氮化硅膜层上会有二氧化硅残留，影响后续氮化硅膜层的去除，形成氮化硅残留，降低产品良率；如何避免二氧化硅的残留成为急需解决的问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法和半导体设备，可以降低膜厚差异对产品良率的影响。

2、一种半导体器件的制备方法，包括：

3、将基底置于沉积腔室的承载台上，并于所述基底表面形成初始材料层；所述承载台上开设有若干个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述初始材料层包括环绕所述基底的圆心的第一测试区，所述异常区位于所述第一测试区，所述确认所述异常区的初始材料层对应的参数信息，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，至少存在一个所述第一测量点在所述承载台上的正投影与相邻所述吸附孔之间的距离小于或等于预设距离，所述预设距离为所述吸附孔在所述基底上的正投影与所述异常区的边缘之间的最大距离。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述初始材料层还包括环绕所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述初始材料层包括环绕所述基底的圆心的第一测试区，所述异常区位于所述第一测试区，所述确认所述异常区的初始材料层对应的参数信息，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，至少存在一个所述第一测量点在所述承载台上的正投影与相邻所述吸附孔之间的距离小于或等于预设距离，所述预设距离为所述吸附孔在所述基底上的正投影与所述异常区的边缘之间的最大距离。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述初始材料层还包括环绕所述圆心的多个第二测试区，所述第一测试区至少与一个所述第二测试区邻接；所述半导体器件的制备方法还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，确认所述异常区的初始材料层对应的参数信息的步骤，包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，半导体器件的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏双斌，刘自瑞，毛小刚，
申请(专利权)人：深圳市鹏新旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：