【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电致发光器件，尤其涉及一种基于六方氮化硼的电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
1、六方氮化硼晶格内的缺陷，如硼或氮空位，在室温下具有较高的光子发射效率。六方氮化硼具有宽的带隙（~6ev），其晶格缺陷具有不同的能带结构，从而使得六方氮化硼缺陷的发光波长涵盖从紫外到可见光和近红外范围。同时，六方氮化硼中基于缺陷的发光被证明具有单光子发光特性，并且可以通过应力工程在选定位置激活。六方氮化硼中缺陷的这些发光特性，使其具有作为室温单光子光源的潜力。
2、然而，目前几乎所有基于六方氮化硼的缺陷发射都是在光激发下研究的，而考虑到六方氮化硼的宽带隙，基于六方氮化硼缺陷发射的电驱动光源仍然相当具有挑战性。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于六方氮化硼的电致发光器件及其制备方法，克服了六方氮化硼大带隙的限制，通过电激发方式，实现了基于六方氮化硼的电致发光器件，具有在可见光到近红外波段的荧光发射。
2、本专利技术的第一个目的是提供一种基于六方氮...
【技术保护点】
1.一种基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述银纳米线的直径为280nm-320nm，长度为10μm-50μm。
3.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述六方氮化硼层的厚度为2nm-6nm。
4.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为5nm-15nm。
5.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述金属基底选自金、银、铜、镍、ITO、FTO或P...
【技术特征摘要】
1.一种基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述银纳米线的直径为280nm-320nm，长度为10μm-50μm。
3.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述六方氮化硼层的厚度为2nm-6nm。
4.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为5nm-15nm。
5.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述金属基底选自金、银、铜、镍、ito、fto或pedot:pss。
6.根据权利要求1所述的基于六方氮化硼的电致发光器件，其特征在于，所述基于六...
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