一种复合铝箔及其制备方法技术

技术编号:44132320 阅读:27 留言:0更新日期:2025-01-24 22:52
本发明专利技术公开了一种复合铝箔及其制备方法,方法包括以下步骤:S1、对高分子基材进行虚线切割处理,在高分子基材上得到沿宽度方向间隔布置的若干个虚线切割条,每个虚线切割条沿高分子基材的长度方向延伸;S2、对高分子基材的第一表面进行镀铝处理,在高分子基材的第一表面得到第一镀铝层;S3、将高分子基材上的若干个虚线切割条去除;S4、对高分子基材的第二表面进行镀铝处理,在高分子基材的第二表面得到第二镀铝层,同时在去除虚线切割条的位置形成纯铝层;S5、对高分子基材进行分切处理,在纯铝层位置沿高分子基材长度方向进行居中分切,得到自带极耳的多卷复合铝箔。本发明专利技术提供的复合铝箔及其制备方法,可简化工艺,提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集流体,特别涉及一种复合铝箔及其制备方法


技术介绍

1、复合铝箔作为锂电池的正极集流体,有着减轻电池重量、提升电池能量密度、提升电池安全性、降低电池成本等优势。相比纯铝箔的复合集流体,复合集流体会需要焊接极耳,极耳在电池封装时用于预防金属带与铝塑膜之间造成短路故障,可以通过加热(约140℃)与铝塑膜热熔密封粘合在一起,以防止漏液,极耳还是电池正负极的导电体,用于充放电时的接触点;锂离子电池采用多极耳结构叠片形式,具有良好的导电性能、倍率性能和安全性。

2、由于需要焊接工序来制备极耳,工艺时间和工艺成本都会相应增加。


技术实现思路

1、本专利技术目的是提供一种复合铝箔及其制备方法,可简化工艺,提高生产效率。

2、基于上述问题,本专利技术提供的技术方案是:

3、一种复合铝箔的制备方法,包括以下步骤:

4、s1、对高分子基材进行虚线切割处理,在高分子基材上得到沿宽度方向间隔布置的若干个虚线切割条,每个虚线切割条沿高分子基材的长度方向延伸;

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【技术保护点】

1.一种复合铝箔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤S1中高分子基材为PET基材、PP基材、PI基材、PPS基材中的一种。

3.根据权利要求2所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤S1中高分子基材的厚度为5.85~6.15μm。

4.根据权利要求1所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤S1中采用分切机进行虚线切割,使用的被动圆刀的规格为:虚线长为2.5mm,虚线间距为1.3mm,切割深度为0.5mm。

5.根据权利要求1所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤S1中虚...

【技术特征摘要】

1.一种复合铝箔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤s1中高分子基材为pet基材、pp基材、pi基材、pps基材中的一种。

3.根据权利要求2所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤s1中高分子基材的厚度为5.85~6.15μm。

4.根据权利要求1所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤s1中采用分切机进行虚线切割,使用的被动圆刀的规格为:虚线长为2.5mm,虚线间距为1.3mm,切割深度为0.5mm。

5.根据权利要求1所述的复合铝箔的制备方法,其特征在于:步骤s1中虚线切割条的宽度为20~30mm。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡达徐安王亚晔关治军
申请(专利权)人:苏州胜利精密制造科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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