本发明专利技术实施例提供了一种光探测芯片、发光芯片及激光雷达，其中，所述光探测芯片包括第一端面、第一主体和第一减反射结构，所述第一端面适于接收入射光，包括像素区域和非像素区域；所述第一主体，包括：像素体区域，其受光面分布于所述第一端面的像素区域；非像素体区域，其受光面分布于所述第一端面的非像素区域；所述第一减反射结构设置于所述第一端面的非像素区域，至少部分覆盖所述非像素体区域的受光面，适于降低所述非像素体区域对入射光的反射率。采用上述方案，通过所述第一减反射结构对入射至其覆盖区域的光进行减反射处理，降低所述非像素体区域对光的反射率，从而可以降低光探测芯片对入射光的反射率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及激光雷达，尤其涉及一种光探测芯片、发光芯片及激光雷达。
技术介绍
1、光探测芯片在激光雷达系统中用于信号光的接收和探测分析。理想情况下，光探测芯片可以完全接收从障碍物反射回激光雷达的信号光，并对接收的信号光进行后续探测分析。但实际应用中，光探测芯片对信号光具有一定的反射率，从外界反射回的信号光中，存在部分信号光，会被光探测芯片反射回外界。
2、被光探测芯片反射至外界的信号光，会降低激光雷达的探测精度，不利于激光雷达的探测，因此，如何提供改进的技术方案，以降低光探测芯片的反射率，成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。
3、
技术介绍
部分的内容仅仅是公开人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种光探测芯片、发光芯片及激光雷达，可以降低对入射光的反射率，提高探测精度。
2、首先，本专利技术实施例提供了一种光探测芯片，包括第一端面、第一主体和第一减反射结构，其中：
3、所述第一端面适于接收入本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光探测芯片，其特征在于，包括第一端面、第一主体和第一减反射结构，其中：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一减反射结构包括：
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第一吸收层包括：
4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一吸收层还包括：
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一减反射结构包括：
6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述非像素体区域包括：金属填充结构；
7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第一偏折结构包括：
>8.根据权利要求7...
【技术特征摘要】
1.一种光探测芯片，其特征在于，包括第一端面、第一主体和第一减反射结构，其中：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一减反射结构包括：
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第一吸收层包括：
4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一吸收层还包括：
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一减反射结构包括：
6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述非像素体区域包括：金属填充结构；
7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第一偏折结构包括：
8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述微纳光学结构包括：多个微纳光学单元，各微纳光学单元包括以下至少一种排列方式：
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述周期排列包括以下至少一种：
10.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述多个微纳光学单元具有相同或不同的尺寸。
11.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述微纳光学结构包括以下至少一种：
12.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，
13.根据权利要求2-12之一所述的芯片，其特征在于，所述第一减反射结构还包括：
14.根据权利要求13所述的芯片，其特征在于，所述增透层，适于降低所述非像素体区域的受光面的反射率对光的入射角度的敏感性。
15.根据权利要求14所述的芯片，其特征在于，所述增透层包括：
16.根据权利要求2-4之一所述的芯片，其特征在于，所述像素体区域包括：多个光探测单元，其感光面分布于所述第一端面的像素区域；
17.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴攸，陈垚江，向少卿，
申请(专利权)人：上海禾赛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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