半导体结构及掩膜版版图制造技术

一种半导体结构及掩膜版版图，半导体结构包括：第一结构层，包括第一量测图形结构，第一量测图形结构包括平行排布的多个第一图形结构；第二结构层，位于第一结构层上，第二结构层包括第二量测图形结构，第二量测图形结构包括平行排布的多个第二图形结构，第二图形结构与第一图形结构的延伸方向相同，第二量测图形结构在第一结构层的投影中，沿垂直于延伸方向，第一图形结构与第二图形结构的投影交替分布；第三结构层，位于第二结构层上，第三结构层包括第三量测图形结构，第一量测图形结构与第二量测图形结构在第三结构层的投影构成的图形结构与第三量测图形结构重合。本发明专利技术有利于实现同时参考两层结构层的方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及掩膜版版图。

技术介绍

1、集成电路是由许多形成在半导体衬底上的电路元件以及多层堆叠在衬底上方的介电层与金属互连线所构成。随着集成电路设计线宽的缩小以及集成度的不断提高，在对晶圆进行曝光步骤时，晶圆对准精确度(alignment accuracy)就显得相当重要。

2、现有的半导体的制作过程中，在晶圆上制作半导体器件之前，需对晶圆进行布局设计，将晶圆划分为若干单元区(die)和位于单元区之间的切割槽(scribe line)。所述单元区用于后续形成半导体器件，切割槽用于在半导体器件制作完成时，作为封装阶段单元区分割时的切割线。在设计用于划分晶圆表面的单元区和切割槽的光刻版图时，通常将光刻对准标记(alignment mark)和套刻测量标记(overlay mark)等光刻工艺中所需要用到的标记图形形成在切割道。

3、在利用对准标记进行晶圆对准的过程中，需要对对准标记进行检测，但是现有技术在检测对准标记的过程中存在着各种误差，导致现有技术的对准标记检测方法效率低。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图形结构包括沿第一方向延伸的第一子图形结构、以及沿第二方向延伸的第二子图形结构，所述第一方向垂直于所述第二方向；

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一子图形结构与多个所述第二子图形结构一一对应，且部分第一子图形结构与第二子图形结构端部相接触、其余部分第一子图形结构与第二子图形结构的延长线相接触，构成沿第三方向平行排布的多个第一折线状图形结构，所述第三方向与所述第一方向、以及与所述第二方向的夹角均为45°；

4.如权利要求2或3所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图形结构包括沿第一方向延伸的第一子图形结构、以及沿第二方向延伸的第二子图形结构，所述第一方向垂直于所述第二方向；

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一子图形结构与多个所述第二子图形结构一一对应，且部分第一子图形结构与第二子图形结构端部相接触、其余部分第一子图形结构与第二子图形结构的延长线相接触，构成沿第三方向平行排布的多个第一折线状图形结构，所述第三方向与所述第一方向、以及与所述第二方向的夹角均为45°；

4.如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一量测图形结构、第二量测图形结构和第三量测图形结构用于量测所述第一结构层、第二结构层和第三结构层沿校准方向的偏差；

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二量测图形结构在所述第一结构层的投影中，沿垂直于所述延伸方向，所述第一图形结构与第二图形结构的投影等间距交替分布。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图形结构的形貌由沿水平方向延伸、且平行排列的多个第一图形线排布而成；

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图形线与第二图形线的宽度不同，和/或，相邻所述第一图形线之间的间距与相邻所述第二图形线之间的间距不同。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一图形线与第二图形线的图形线排布情况不同，且所述第一图形线与第二图形线分别为下列图形线排布情况中的一种：沿排列方向每两个所述图形线一组，每组图形线端部相连；沿排列方向每四个所述图形线一组，每组图形线中外侧的两个图形线端部相连，内侧的两个图形线端部相连。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构层、第二结构层和第三结构层均包括芯片器件区，所述第一量测图形结构、第二量测图形结...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高颖，柏耸，蒋运涛，叶逸舟，何弦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：