【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种微型发光二极管器件及微型发光二极管器件的制备方法。
技术介绍
1、微型发光二极管阵列(micro-led阵列)，以其高色彩饱和度、高对比度、快速响应、低能耗和长久使用寿命等特点，展现出了显著的技术优势。当前，micro-led阵列采用两种主要结构：垂直结构与倒装结构，最终通过与驱动电路的键合来实现其发光功能。
2、在micro-led的技术细节上，每个单元的尺度精细至微米级，电极设计更加精密，达到亚微米级的尺寸与间距。这一微小尺度要求驱动电路的电极必须与micro-led电极实现精确对齐，以保障电性连接的可靠性。哪怕是微乎其微的对准误差，也足以导致电极接触不良或发生短路，严重干扰器件的正常运行，甚至导致其失效。
3、鉴于micro-led与驱动电路之间的精准连接需求，现有技术采用晶圆键合技术来实现两者的集成，基本工艺流程如下：
4、(a)硅衬底依次生长gan基底、缓冲层、n型gan、多层量子阱、p型gan；
5、(b)图形化发光单元，刻蚀发光单元隔离
6、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微型发光二极管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件还包括：
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述发光单元包括沿着第一方向间隔设置的多个，所述第一方向与所述第一表面平行，所述微型发光二极管器件还包括：
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件还包括：
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件还包括：
6.根据权利要求3所述的微型发光二极管...
【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件还包括：
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述发光单元包括沿着第一方向间隔设置的多个，所述第一方向与所述第一表面平行，所述微型发光二极管器件还包括：
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件还包括：
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述微型发光二极管器件还包括：
6.根据权利要求3所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述驱动基板在第二方向上具有相对的第一端和第二端，所述第二方向平行于所述第一表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直，所述介质隔离结构包括：
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管器件，其特征在于，所述发光单元包括沿着所述第二方向间隔设置的多个，所述驱动基板在所述第一方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：方士伟，王思维，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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