一种高平整度氮化硅基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高平整度氮化硅基板的制备方法。通过配置有机胶、球磨混合、脱泡陈腐、流延成型、冲裁敷隔离粉、低温平化处理、空气排胶、加压烧结、隔离粉去除的步骤制成。本发明专利技术制备的氮化硅基板平整度好，粗糙度低，力学性能高。采用对苯二甲酸二(2‑乙基己基)酯和癸二酸二丁酯复合增塑剂，提高了材料的断裂韧性；采用聚乙烯亚胺和三聚磷酸钠复合分散剂，降低了材料的粗糙度；采用环己酮和白油复合均化剂，降低了材料的翘曲度，提高了材料的平整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氮化硅陶瓷，具体涉及一种高平整度氮化硅基板的制备方法。

技术介绍

1、氮化硅基板具有强度高、硬度大、导热高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优点，在国防、军工、电子信息等关键领域具有不可替代的地位。目前氮化硅基板的商业化应用主要应用集中在车用igbt模块领域，igbt模块用的氮化硅基板尺寸较大，达到l7.5英寸*w5.5英寸，在如此大的氮化硅基板上面进行金属化(覆铜)对基板的平整度提出了较高的要求。大尺寸且厚度较薄(低于0.5mm)的氮化硅基板在烧结后容易发生翘曲和边缘翘曲等现象，会导致后续金属化层出现厚度不均、平整度变差、结合力不好、循环寿命降低等问题，直接影响了其使用。一般工序需要通过修正或者表面研磨加工来确保基板的平整度满足使用要求。

2、采用修正工艺来保证基板的平整度，也就意味着要对基板进行二次烧结。二次烧结的温度仅仅比第一次烧结温度低500-100℃，将会使氮化硅基板晶粒长大，从而降低了基板的三点抗弯强度。同时，二次烧结会降低烧结炉的利用率，而且增加了能源成本，使得本身成本较高的氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，按照如下步骤进行：

2.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛、乙基纤维素、石蜡、糊精中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述增塑剂为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯和癸二酸二丁酯按照质量比1：1混合的混合物。

4.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、二甲苯、异丙醇、乙醇、乙酸乙酯中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，按照如下步骤进行：

2.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛、乙基纤维素、石蜡、糊精中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述增塑剂为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯和癸二酸二丁酯按照质量比1：1混合的混合物。

4.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、二甲苯、异丙醇、乙醇、乙酸乙酯中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述高平整度氮化硅基板的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂为氮化硅镁、氧化锂、氟化镧、二氧化钛、三氟化...

【专利技术属性】
技术研发人员：江楠，贾曦，张东，权慧英，宋经纬，
申请(专利权)人：乐山职业技术学院，
类型：发明
国别省市：