【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体加工，尤其涉及一种抛光头、抛光设备、抛光方法、处理器及存储介质。
技术介绍
1、在半导体加工技术中，化学机械抛光(chemica l mechan ica l po l i sh ing,cmp)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合或夹持于承载头的底面，晶圆具有沉积层的一面抵压于抛光垫上表面，承载头在驱动组件的致动下旋转并给予晶圆向下的载荷；同时，抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间，使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
2、在化学机械抛光过程中，抛光头对晶圆所施加的压力是影响晶圆抛光效果的直接因素，为了更加精准地实现对晶圆抛光效果的把控，抛光头的内部分区被不断优化。但相关技术中的抛光头仍难以控制晶圆边缘的抛光，导致晶圆边缘的抛光效果不理想。此外，在抛光过程中，还可能会损伤晶圆背面或抛光头气膜表面，造成加工后的晶圆无法满足要求和抛光头气膜使用寿命低的问题，同时，在对晶圆的抛光过程中还易造成碎片的风险。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种抛光头，用于将晶圆抵压至抛光垫进行抛光处理，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抛光头，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的抛光头，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的抛光头，其特征在于，所述保持环气膜包括：
5.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的抛光头，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，所述保持环气膜还包括：
9.根据权利要求8所述的抛光头，其特征在于
10...
【技术特征摘要】
1.一种抛光头，用于将晶圆抵压至抛光垫进行抛光处理，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抛光头，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的抛光头，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的抛光头，其特征在于，所述保持环气膜包括：
5.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的抛光头，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，所述保持环气膜还包括：
9.根据权利要求8所述的抛光头，其特征在于，
10.根据权利要求4所述的抛光头，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的抛光头，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨易，刘鑫博，程子政，李润豪，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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