一种错层布局的窄型波导魔T合成器制造技术

本发明专利技术属于微波技术领域，涉及一种错层布局的窄型波导魔T合成器。本发明专利技术将波导魔T合成器的奇数路输入、偶数路输入和合成器负载及隔离器负载分别错层布局，合成器的最后一级波导魔T与错层布局平面呈90°垂直布局，通过最后一级的两个合成臂的路径差来补偿合成器奇数路输入和偶数路输入两层布局的高度差引起的相位差，实现同相合成。本发明专利技术有效地减小了波导魔T合成器在宽度方向的尺寸，尤其适用于宽度方向受限而高度方向有余的应用场合，提高了固态发射机的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波。

技术介绍

1、固态发射机具有大占空比、高可靠性、长工作寿命、易维护性等优点，在现代雷达和通信系统中得以广泛应用。高功率合成器是实现固态发射机的关键部件。波导魔t合成器虽然体积和重量较大，但在插入损耗、功率耐受能力和技术成熟度等方面具有明显优势，且能实现合成支路间的隔离，是实现固态高功率合成的重要方法。

2、c波段及以下频段波导尺寸较大，如国标bj70的波导尺寸为34.85mm*15.80mm，目前常用的单层平面布局的波导魔t合成器会导致合成器宽度方向尺寸超出所有参与合成的功放组件的宽度总和，增加额外的发射机柜宽度，降低机柜的集成度，影响固态发射机的应用范围。

技术实现思路

1、为解决现有技术中宽度方向尺寸偏大的问题，本专利技术提出了一种错层布局的窄型波导魔t合成器。

2、实现本专利技术的技术解决方案为：

3、错层布局的窄型波导魔t合成器包括一只2n路波导魔t合成器及n-1只波导合成器负载、n只波导隔离器及n只波导隔离器负载；所述波导隔离器与波导魔t合成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种错层布局的窄型波导魔T合成器，其特征在于：包括一只2n路波导魔T合成器及n-1只波导合成器负载、n只波导隔离器及n只波导隔离器负载；所述波导隔离器与波导魔T合成器的输入连接；所述波导魔T合成器的奇数路输入、偶数路输入和所述波导合成器负载、所述波导隔离器负载分别错层布局；所述的波导魔T合成器的最后一级波导魔T与错层布局平面呈90°垂直布局，通过最后一级的两个合成臂的路径差来补偿波导魔T合成器奇数路输入和偶数路输入两层布局的高度差引起的相位差，实现同相合成。

2.根据权利要求1所述的错层布局的窄型波导魔T合成器，其特征在于：所述的波导魔T合成器的奇数路输入及其连接的波导隔...

【技术特征摘要】

1.一种错层布局的窄型波导魔t合成器，其特征在于：包括一只2n路波导魔t合成器及n-1只波导合成器负载、n只波导隔离器及n只波导隔离器负载；所述波导隔离器与波导魔t合成器的输入连接；所述波导魔t合成器的奇数路输入、偶数路输入和所述波导合成器负载、所述波导隔离器负载分别错层布局；所述的波导魔t合成器的最后一级波导魔t与错层布局平面呈90°垂直布局，通过最后一级的两个合成臂的路径差来补偿波导魔t合成器奇数路输入和偶数路输入两层布局的高度差引起的相位差，实现同相合成。

2.根据权利要求1所述的错层布局的窄型波导魔t合成器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁星霞，张海兵，徐小帆，张启帆，庄敏，黄传林，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二四研究所，
类型：发明
国别省市：