【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体模块技术，尤其涉及了一种功率半导体模块及制作方法。
技术介绍
1、功率半导体模块作为当代电力电子设备中的核心，负责电力的转换与调节，广泛应用于光伏发电、智能家居、汽车电子以及工业电力控制系统之中。随着技术进步和设备性能的提升，功率模块的功率密度也在不断提升。高功率密度意味着功率模块的尺寸越来越大，同时会产生更多的热量，工作设备常常因为散热问题而导致设备性能降低，甚至过热损坏。
2、传统的功率模块都是单面散热为主，在有限的设备空间内，增加单面的散热片面积已经到达极限，因此业界进一步提出了双面散热技术，通过在模块的两面同时进行散热，大幅提升散热效率和热管理的灵活性， 但是对于双面散热结构，芯片需要预先化镀镍钯金转化为表面金属层的可焊状态，正面的键合柱至少4种不同规格的中间过渡材料，对应的焊料规格也涉及多种，这样模块组装的效率较低。特别是第三代半导体如sic mosfet芯片面积普遍较小，小尺寸的键合柱还容易压碎脆弱的芯片金属层。此外，多组分材料比如会造成热膨胀系数的不匹配问题，双面冷却封装两端固定的结构都会使...
【技术保护点】
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括上桥模块、下桥模块和键合单元，上桥模块与下桥模块通过键合单元连接，并形成一腔体；腔体包括第一方向上的第一边和第三边，第二方向上相对的第二边和第四边，第一边、第二边、第三边和第四边首尾相接；
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块，其特征在于，下桥模块包括下桥基板；
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块，其特征在于，上桥模块包括上桥基板，上桥基板设有上桥导电区域，上桥导电区域包括上桥功率DC键合区，NTC热敏电阻键合区、上桥开尔文源极键合区、上桥栅极键合区和上桥芯片焊接区；
4.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括上桥模块、下桥模块和键合单元，上桥模块与下桥模块通过键合单元连接，并形成一腔体；腔体包括第一方向上的第一边和第三边，第二方向上相对的第二边和第四边，第一边、第二边、第三边和第四边首尾相接；
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块，其特征在于，下桥模块包括下桥基板；
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块，其特征在于，上桥模块包括上桥基板，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈金秋，黄兴，刘昀粲，
申请(专利权)人：派恩杰半导体浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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