检查装置和检查方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种检查装置和检查方法，能够以简单的结构来观察光致发光的光和拉曼散射光两者，能够使晶体评价高度化。本实施方式的检查装置具有：脉冲光生成单元，其生成波长比试样的带隙所对应的光的波长更长的脉冲光，该脉冲光使试样进行多光子激发；聚光单元，其包括物镜，使用物镜将脉冲光向试样进行聚光，并且使通过脉冲光的照射从试样产生的包含光致发光的光(PL)和拉曼散射光(RS)的光透射物镜；第一检测单元，其对透射了物镜的光致发光的光(PL)进行检测；以及第二检测单元，其对透射了物镜的拉曼散射光(RS)进行检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检查装置和检查方法。

技术介绍

1、通过使用了光致发光的光的通常的光致发光测量，能够观察半导体晶片的多型、晶体变质的内部缺陷。但是，在通常的光致发光测量中，难以看到加工应力残留等没有伴随晶体变质的应力分布。这样的应力残留在后续的外延工艺或热工艺等中有可能成为改性或破坏为缺陷的起点。因此优选能够评价晶体内部的应力。

2、对于这样的评价，使用了拉曼散射光的拉曼光谱测量是有效的。因此，期望一种以光致发光测量为基础并组合了拉曼光谱测量的检查装置。但是，在以通常的光致发光测量为基础的情况下，在非常接近激发光的波长处产生带端发光。因此，如果使用光致发光测量的激发光来进行拉曼光谱测量，则存在带端发光遮掩作为微弱信号的拉曼散射光等问题。因此，为了组合拉曼光谱测量，需要采取使用与用于光致发光测量的光源波长不同的光源等的应对措施。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2003-194718号公报。

6、专利技术要解决的问题

7、例如，在专利文献1中，作为对包含氮化镓(ga本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检查装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的检查装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的检查装置，其中，

4.根据权利要求3所述的检查装置，其中，

5.根据权利要求4所述的检查装置，其中，

6.根据权利要求5所述的检查装置，其中，

7.根据权利要求5所述的检查装置，其中，

8.根据权利要求5所述的检查装置，其中，

9.根据权利要求8所述的检查装置，其中，

10.根据权利要求1或2所述的检查装置，其中，

11.一种检查方法，其包括：

<p>12.根据权利要...

【技术特征摘要】

1.一种检查装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的检查装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的检查装置，其中，

4.根据权利要求3所述的检查装置，其中，

5.根据权利要求4所述的检查装置，其中，

6.根据权利要求5所述的检查装置，其中，

7.根据权利要求5所述的检查装置，其中，

8.根据权利要求5所述的检查装置，其中，

9.根据权利要求8所述的检查装置，其中，

10.根据权利要求1或2所述的检查装置，其中，

11.一种检查...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤木翔太，西村良浩，
申请(专利权)人：雷射科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：