一种下电极组件及其等离子体处理装置制造方法及图纸

本技术公开了一种下电极组件及其等离子体处理装置，该下电极组件包含：基座，其开设有第一通孔，第一通孔与气体源连通；设置于基座上的介电层，其顶部表面用于承载晶圆，介电层开设有第二通孔，第二通孔中设置有螺旋塞，螺旋塞的内部或螺旋塞的至少部分侧壁与第二通孔的侧壁之间具有一条弧形气体通道，弧形气体通道具有与第一通孔连通的一进气口，以及与介电层的顶部空间连通的一出气口。其优点是：该下电极组件借助螺旋塞使气体的行走路径变长，增加了气体放电路径，同时弧形气体通道增加了带电粒子与气体通道侧壁的碰撞机率，使带电粒子碰撞熄灭的机率增加，有助于避免介电层发生通孔击穿或电弧点火现象，进而保证腔内环境的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种下电极组件及其等离子体处理装置。

技术介绍

1、在半导体芯片生产过程中，需要进行大量的微观加工，其中常用的微加工工艺包含等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等方式。微加工制造的进程中往往伴随着等离子体辅助工艺，这些工艺一般都在真空反应腔内进行，其中，等离子体辅助工艺中的等离子体刻蚀工艺是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。等离子体刻蚀工艺的工作原理一般是向真空反应腔内通入含有适当的刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应腔进行射频能量的输入，以激活反应气体来点燃或维持等离子体，进而对半导体衬底进行加工。

2、在整个等离子体刻蚀工艺过程中，晶圆处理的反应环境是非常苛刻的，反应腔内工艺环境的稳定性、工艺气体的流动和分布情况、晶圆的加热温度场情况以及反应腔内的压力分布情况等因素都至关重要，它们直接或间接决定了晶圆表面处理的质量。但是在实际应用时，通常会出现腔内工艺环境的稳定性难以保证的情况，这可能是由于腔体内射频环境变化等因素造成的。例如在工艺过程中，静电吸盘会在高功率使用环境下承受较大的分压，静电吸盘的气本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种下电极组件，其特征在于，包含：

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【技术特征摘要】

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2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：左涛涛，尹志尧，丛海，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：