一种电路板上基于激光切槽埋置器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，包括以下步骤：S1.开料：将半固化片按照预设尺寸裁切成基体；S2.激光切槽：将基体在激光切割平台上加工出通槽得到样件，加工时先在基体上表面进行第一次切割形成纵截面呈V字型且开口宽为D1的第一切槽；再在第一切槽内进行第二次切割贯通基体下表面得到竖向侧壁且宽为D2的第二切槽，D2小于D1，第一切槽与第二切槽连通形成通槽；S3.清洁槽孔；S4.在样件的下表面压合粘接胶；S5.在通槽里贴装器件；S6.贴装器件后在样件上方压合基材；S7.去除粘接胶并在此侧面压合基材，之后外观检测合格即可得到一层完成器件埋置的样件。器件埋置时，器件与切槽侧壁接触时不易产生干涉而导致器件翘起，产品合格率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电路板埋置器件，具体涉及一种电路板上基于激光切槽埋置器件的方法。

技术介绍

1、目前，在电子设备中，电容器通常用于储存电荷并提供电源稳定性，传统的电容器安装方式是通过引线连接到电路板上，但这种安装方式会占用较多的空间并且容易受到外界的干扰。埋置电容技术通过将电容器嵌入到电路板的内部，可以显著减小电路板的体积并提高电容器的稳定性，而埋置电容技术的实现需要一些特殊的工艺步骤，首先，需要在电路板的表面制造一个与电容器尺寸相匹配的孔洞。然后，将电容器的引线插入到孔洞中，并使用适当的焊接技术将其固定。最后，使用覆盖层将电容器与电路板的表面进行封装，以确保其安全性和稳定性。

2、用于埋置电容器件的孔槽一般可通过机械铣床、激光切割设备来加工实现。机械铣床受限于最小铣刀尺寸影响，无法加工小于1mm宽度的槽；常规激光切割设备在大于1mm厚度材料上加工通槽时，随着切割深度加深，一方面由于加工平面不在正焦位置，激光加工能量有衰减，另一方面，由于已加工位置会遮挡部分激光，导致加工槽孔深处时激光能量有衰减，所以切槽后侧壁锥度大，很容易导致后续器件埋置时产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：所述半固化片为绝缘材质。

3.根据权利要求1所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：在步骤S2中，采用吸附方式将所述半固化片固定在激光切割平台上。

4.根据权利要求1所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：在步骤S21中，所述第一次切割的激光切割功率为5w-6w，激光扫描速度为200mm/s-300mm/s，激光切割频率为45KHZ-55KHZ，激光切割次数为1次-4次，Z轴高度设置...

【技术特征摘要】

1.一种电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：所述半固化片为绝缘材质。

3.根据权利要求1所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：在步骤s2中，采用吸附方式将所述半固化片固定在激光切割平台上。

4.根据权利要求1所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：在步骤s21中，所述第一次切割的激光切割功率为5w-6w，激光扫描速度为200mm/s-300mm/s，激光切割频率为45khz-55khz，激光切割次数为1次-4次，z轴高度设置为0mm。

5.根据权利要求4所述的电路板上基于激光切槽埋置器件的方法，其特征在于：在步骤s22中，所述第二次切割的激光切割功率为3w-3.6w，激光扫描速度为250mm/s-350mm/s，激光切割频率为45khz-55khz，激光切割次数为3次-6次，z轴高度设置为-0...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵城，齐伟，李沐荣，范莹莹，
申请(专利权)人：安捷利番禺电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：