吲哚类化合物及其制备方法与应用技术

技术编号:43973103 阅读:27 留言:0更新日期:2025-01-10 20:00
本发明专利技术涉及一种吲哚类化合物及其制备方法与应用。上述哚类化合物具有通式(1)或通式(2)所示的分子结构:(1)、(2),其中,各R<subgt;1</subgt;选自氢原子、卤素原子、氰基、C1~C6烷氧基、C1~C10烷基中的一种;各R<subgt;2</subgt;选自取代或非取代的芳基、取代或非取代的杂芳基中的一种。上述吲哚类化合物具有优良的空穴传输能力,通过将芳基或杂芳基与吲哚单元连接,优化了能级结构,实现与钙钛矿材料良好的能级匹配,提高对空穴的提取性能,并且提高了化合物的偶极矩,有利于内建电场的形成,进而提升光电转化效率。氰基膦酸基或氰基羧酸基使得化合物能够与钙钛矿材料形成较强的作用力,改善浸润性,能够增强界面稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏,特别是涉及一种吲哚类化合物及其制备方法与应用


技术介绍

1、钙钛矿太阳能电池作为第三代光伏电池,其理论光电转换效率高达31%,目前的最高光电效率已经突破了26.1%。然而,钙钛矿太阳电池目前仍存在稳定性差、大面积制备困难等问题,导致其商业化发展远不及传统晶硅电池。

2、在钙钛矿太阳能电池中,通常在钙钛矿光吸收层的一侧设置空穴传输层,起到空穴的提取、输运以及电子的阻挡等重要作用。然而,传统的空穴传输材料存在稳定性不足和与基底的浸润性较差的问题。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种吲哚类化合物及其制备方法与应用,以解决传统的空穴传输材料存在稳定性不足和与基底的浸润性较差的问题。

2、本专利技术的方案如下:

3、一种吲哚类化合物,具有通式(1)或通式(2)所示的分子结构:

4、   (1)、

5、   (2),

6、其中,各r1选自氢原子、卤素原子、氰基、c1~c6烷氧基、c1~c10烷基中的一种

7、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种吲哚类化合物,其特征在于,具有通式(1)或通式(2)所示的分子结构:

2.如权利要求1所述的吲哚类化合物,其特征在于,各R2中,所述芳基的环原子数为6~30个。

3.如权利要求2所述的吲哚类化合物,其特征在于,各R2中,所述芳基为苯、联苯、萘、蒽、菲、芘、二萘嵌苯以及三亚苯中的一种。

4.如权利要求2所述的吲哚类化合物,其特征在于,各R2选自以下基团中的一种:

5.如权利要求1所述的吲哚类化合物,其特征在于,各R2中,所述杂芳基的环原子数为5~30个;和/或

6.如权利要求5所述的吲哚类化合物,其特征在于,各R2中,所述...

【技术特征摘要】

1.一种吲哚类化合物,其特征在于,具有通式(1)或通式(2)所示的分子结构:

2.如权利要求1所述的吲哚类化合物,其特征在于,各r2中,所述芳基的环原子数为6~30个。

3.如权利要求2所述的吲哚类化合物,其特征在于,各r2中,所述芳基为苯、联苯、萘、蒽、菲、芘、二萘嵌苯以及三亚苯中的一种。

4.如权利要求2所述的吲哚类化合物,其特征在于,各r2选自以下基团中的一种:

5.如权利要求1所述的吲哚类化合物,其特征在于,各r2中,所述杂芳基的环原子数为5~30个;和/或

6.如权利要求5所述的吲哚类化合物,其特征在于,各r2中,所述杂芳基为呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、噻吩并噻吩、呋喃并吡咯、呋喃并呋喃、噻吩并呋喃中的一种。

7.如权利要求5所述的吲哚类化合物,其特征在于,各r2选自以下基团中的一种:

8.一种权利要求1~7中任一项所述的吲哚类化合物的制备方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:应昕彤李兆宁曾海鹏樊慧柯杨玉雯
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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