一种横向激励薄膜体声波谐振器及其制造方法技术

技术编号:43965598 阅读:30 留言:0更新日期:2025-01-07 21:51
本发明专利技术提供一种横向激励薄膜体声波谐振器及其制备方法,属于声波谐振器技术领域。该横向激励薄膜体声波谐振器包括衬底、位于衬底之上的压电层和位于压电层之上的叉指换能器;衬底与压电层之间形成有空腔;叉指换能器包括叉指电极;压电层上设置有至少一个凹槽或至少一个第一通孔,该凹槽或该第一通孔的至少一部分被叉指电极覆盖;沿与叉指电极的延伸方向垂直且与压电层平行的方向上,在压电层上位于叉指换能器两侧的位置开设有第二通孔;该第二通孔与空腔连通。通过将叉指电极与压电层的接触区域挖空一部分,减少了叉指电极与压电层的接触面积,从而减少了杂散模态,增大了器件的质量因子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于声波谐振器,具体涉及一种横向激励薄膜体声波谐振器及其制造方法


技术介绍

1、横向激励的薄膜体声波谐振器(xbar)因其高机电耦合系数(kt2>20%)和高优值(fom=q*kt2))而成为6ghz以上的宽带滤波器实现低损耗、高功率处理能力和低成本的理想解决方案。但是,现有技术中展示的a1(一阶反对称型兰姆波)器件都存在较多的横向杂散模式,从而在器件响应中出现多个杂散谐振峰分布,对应在滤波器件的通带中出现纹波,导致插入损耗增加、通带边缘陡峭度差等问题,严重影响信号收发的准确性和稳定性。因此,横向杂散模式的存在仍然是进一步推动xbar器件进入实际应用的主要瓶颈。要使xbar器件适合实际应用,就必须进行杂散模态抑制。

2、为了减少横向杂散模态,美国专利申请公开文本us20230111410a1中公开了一种具有弯曲指状末端或相对母线的横向激励薄膜体声波谐振器,具有带表面的基板和单晶压电板,压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。在单晶压电板的表面上形成叉指换能器(idt),使得叉指换能器的交错指设置在振膜上。idt交错指的末端或本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种横向激励薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底之上的压电层和位于所述压电层之上的叉指换能器;所述衬底与所述压电层之间形成有空腔;所述叉指换能器包括叉指电极;所述压电层上设置有至少一个凹槽或至少一个第一通孔,所述凹槽或所述第一通孔的至少一部分被所述叉指电极覆盖;沿与所述叉指电极的延伸方向垂直且与所述压电层平行的方向上,所述压电层上位于所述叉指换能器两侧的位置开设有第二通孔;所述第二通孔与所述空腔连通。

2.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器,其特征在于,沿与所述叉指电极的延伸方向垂直且与所述压电层平行的方向上,所述凹槽或所述第一通孔的尺寸大于所述...

【技术特征摘要】

1.一种横向激励薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底之上的压电层和位于所述压电层之上的叉指换能器;所述衬底与所述压电层之间形成有空腔;所述叉指换能器包括叉指电极;所述压电层上设置有至少一个凹槽或至少一个第一通孔,所述凹槽或所述第一通孔的至少一部分被所述叉指电极覆盖;沿与所述叉指电极的延伸方向垂直且与所述压电层平行的方向上,所述压电层上位于所述叉指换能器两侧的位置开设有第二通孔;所述第二通孔与所述空腔连通。

2.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器,其特征在于,沿与所述叉指电极的延伸方向垂直且与所述压电层平行的方向上,所述凹槽或所述第一通孔的尺寸大于所述叉指电极的尺寸;或,沿与所述叉指电极延伸的方向平行的方向上,所述凹槽或所述第一通孔的尺寸大于所述叉指电极的尺寸。

3.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述衬底包括基体和中间层。

4.根据权利要求3所述的横向激励薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述基体的材料为高阻硅、碳化硅、金刚石、蓝宝石中至少一种;或/和所述中间层的材料为二氧化硅、氮化硅、多晶硅中至少一种;或/和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:王红莉胡志启沈晓安
申请(专利权)人:湖北九峰山实验室
类型:发明
国别省市:

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