【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，且特别是涉及包含存储元件的半导体结构。
技术介绍
1、电阻式随机存取存储器(resistance random access memory；rram)是备受瞩目的新世代非易失性存储器。电阻式随机存取存储器将数据存储在电阻转换膜中。通过施加适当的电压，电阻转换膜可以在高电阻状态和低电阻状态之间反复切换，从而存储数字信息。然而，包含电阻式随机存取存储器的半导体结构的发展仍有多个重要问题尚未解决。例如，如何降低或避免半导体结构中层及元件的损伤是本领域技术人员面临的重要议题之一。一般而言，层及元件的损伤会降低半导体结构的电性表现。
技术实现思路
1、本专利技术提供半导体结构，其可降低或避免半导体结构中的元件的损伤，并可提升半导体结构的电性表现。
2、根据本专利技术的一实施例，提供半导体结构。半导体结构包含沿着第一方向设置的多个互连层、在多个互连层中的存储元件、在多个互连层中且电连接存储元件的第一导电结构、以及在多个互连层中且电连接存储元件的第二导电结构。第一导...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该存储元件为电阻式存储元件。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电线与该第二导电线为源极线，该第三导电线与该第四导电线为位线。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电线与该第二导电线为位线，该第三导电线与该第四导电线为源极线。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二导电线的上表面高于该存储元件的上表面。
6.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第五导电线与该第六
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该存储元件为电阻式存储元件。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电线与该第二导电线为源极线，该第三导电线与该第四导电线为位线。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电线与该第二导电线为位线，该第三导电线与该第四导电线为源极线。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二导电线的上表面高于该存储元件的上表面。
6.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第五导电线与该第六导电线为字线。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第一导电线与该第二导电线为源极线，该第三导电线与该第四导电线为位线。...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄怡安，尤书鸿，王泉富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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