CMP中使用的纳米氧化铈的制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了CMP中使用的纳米氧化铈的制备方法及其应用，包括以下步骤：步骤一、取硝酸铈将其溶解在水溶液或者乙醇溶液中进行混合搅拌，得到前驱体溶液，在混合时也可以加入硝酸镧和硝酸钕，得出混合的前驱体溶液；步骤二、向前驱体溶液中加入表面活性剂，搅拌均匀，得到混合溶液。本发明专利技术通过加入硝酸镧和硝酸钕等稀土元素能够提高氧化铈的机械性能和化学稳定性，增强其对玻璃、硅晶片等材料的抛光效率，掺杂稀土元素还可以调控氧空位的分布，提高氧化铈的活性，硼或磷的掺杂可以进一步调整氧化铈的晶体结构，增加其抛光颗粒的硬度和耐用性，适合用于高硬度材料的抛光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体为cmp中使用的纳米氧化铈的制备方法及其应用。

技术介绍

1、氧化铈作为磨料应用于半导体制备工艺中，其广泛关注主要是由于二氧化铈对二氧化硅的高抛光活性，并且其在较低的固含量下即实现到高的抛光效果，因此，以氧化铈为磨料的化学机械抛光液在性能和成本上相比于传统的氧化硅或氧化铝材料具有更大的应用前景和市场优势。

2、国内合成的氧化铈是高温烧制碳酸铈得到的，比表面小，让氧化铈失去活性，同时磨削率很低，打磨效果较低，大多还是需要进口材料在公开文件cn108249469 a中提出了水热法的方式进行制备氧化铈颗粒，其所合成氧化铈无需其它特殊处理，具有良好的分散性和抛光活性，可作为磨料应用于st i抛光，但是其耐久性和硬度上并未提升，同时对于氧化铈的活性没有明显的提升性，不能进一步的满足使用需求，为此提出cmp中使用的纳米氧化铈的制备方法及其应用。

3、本
技术介绍
所公开的上述信息仅仅用于增加对本申请
技术介绍
的理解，因此，其可能包括不构成本领域普通技术人员已知的现有技术。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.CMP中使用的纳米氧化铈的制备方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的CMP中使用的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于：在制备混合前驱体溶液时硝酸镧和硝酸钕的添加总分量为硝酸铈的1:10，其中硝酸镧和硝酸钕之间的占比为1:1。

3.根据权利要求1所述的CMP中使用的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于：添加的表面活性剂可以选择十六烷基三甲基溴化铵或高分子物质(如聚乙二醇(PEG))置于温和的温度下60-80℃下进行搅拌。

4.根据权利要求1所述的CMP中使用的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于：在添加水和柠檬酸时，搅拌时间为30-60分钟，温度条件为...

【技术特征摘要】

1.cmp中使用的纳米氧化铈的制备方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的cmp中使用的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于：在制备混合前驱体溶液时硝酸镧和硝酸钕的添加总分量为硝酸铈的1:10，其中硝酸镧和硝酸钕之间的占比为1:1。

3.根据权利要求1所述的cmp中使用的纳米氧化铈的制备方法，其特征在于：添加的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，夏魁，
申请(专利权)人：龙岩英伟凌电子器件有限公司，
类型：发明
国别省市：