【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及射频集成电路领域，具体涉及一种射频功率放大器及射频前端模组。
技术介绍
1、射频功率放大器中使用的半导体器件，受最大工作电压限制。如果超出最大工作电压，可能会使器件产生永久性的失效。
2、对于一个单级共发射极功率放大器来说，bjt(bipolar juctiontransistor，双极结型晶体管)或hbt(heterojunction bipolar transistor，异质结双极晶体管)等晶体管的发射极接地，射频信号从晶体管的基极输入，集电极输出，在高输出功率下，由于谐波等非线性因素的存在，晶体管的集电极峰值波形有时可以高达集电极供电直流偏置电压的三倍。当晶体管的集电极电压达到某个阈值，超过晶体管击穿电压时，晶体管会产生不可逆的失效。
3、对于一个单级共第二极功率放大器来说，mos(metal oxidesemi-conductor fet，金属-氧化物半导体场效应晶体管)或hemt(high electron mobility transistor，高电子迁移率晶体管)等晶体管的第二极接...
【技术保护点】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：输入匹配网络、偏置电路、一个或者多个并联的射频功率放大单元电路、输出匹配网络以及峰值电压限制电路；其中，
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述峰值电压限制电路包括相连的检测电路和判断电路；
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述偏置电路包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第三电阻；
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第二电容和第三电容；
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率...
【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：输入匹配网络、偏置电路、一个或者多个并联的射频功率放大单元电路、输出匹配网络以及峰值电压限制电路；其中，
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述峰值电压限制电路包括相连的检测电路和判断电路；
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述偏置电路包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第三电阻；
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第二电容和第三电容；
5.根据权利要求1所述的射频功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈吉，方家兴，路烜，
申请(专利权)人：至晟临海微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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