一种高频功率循环电路及控制方法技术

本申请实施例涉及半导体领域，公开了一种高频功率循环电路及控制方法，包括八个功率半导体器件和电感，八个半导体器件分别组成第一桥臂和第二桥臂，第一桥臂由并联的第一开关管和第一二极管以及并联的第二开关管和第二二极管组成，第二桥臂由并联的第三开关管和第三二极管以及并联的第四开关管和第四二极管组成，第一开关管、电感和第四开关管串联，第三开关管、电感和第二开关管串联，电感电流存在两种方向，还包一种控制方法采用上述的高频功率循环电路，该实施例通过模拟交流系统中的开关时序特性，同时对八颗半导体功率器件进行考核，可以全面且均衡考核半导体器件在高温、高频下长期工作后的特性变化。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种高频功率循环电路及控制方法。

技术介绍

1、功率循环测试是通过外部负载电流的通断来模拟器件实际应用的结温波动过程，并通过一定程度的加速老化以提前暴露器件封装的薄弱点。一直被工业界和学术界认为是考核功率器件封装可靠性最有效的方式，也是进行器件寿命模型建立和寿命评估的最重要手段。

2、功率试验方法主要为功率循环(pc)，通过给器件施加电应力和热应力,对器件键合点、芯片焊层、基板焊层等封装结构蠕变热疲劳特性的考核。功率循环类型分为长周期功率循环和短周期功率循环，器件典型失效、在短周期功率循环退化表现为键合点脱落、焊层分层或脱落比例过大、栅极失效、母排焊点脱落；长周期表现为焊层分层或脱落比例过大、封装结构退化等。

3、如中国专利文献cn 117590188 a公开了一种高频功率循环电路及控制方法，该高频功率循环电路及控制方法电路包括：四个功率器件开关，电感和储能电容，第一开关管和第四开关管组成第一组开关桥，第二开关管和第三开关管组成第二组开关桥，第一开关管的源极和第三开关管的漏极相连，第二开关管的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高频功率循环电路，其特征在于，包括：八个功率半导体器件和电感，八个半导体器件分别组成第一桥臂和第二桥臂，所述第一桥臂由并联的第一开关管和第一二极管以及并联的第二开关管和第二二极管组成，所述第二桥臂由并联的第三开关管和第三二极管以及并联的第四开关管和第四二极管组成，所述第一开关管的发射极和所述第二开关管的集电极相连，所述第三开关管的发射极和所述第四开关管的集电极相连，所述第一开关管的发射极、所述电感和所述第四开关管的集电极串联，所述第三开关管的发射极、所述电感和所述第二开关管的集电极串联，所述电感电流存在两种方向。

2.根据权利要求1所述的一种高频功率循环电路，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种高频功率循环电路，其特征在于，包括：八个功率半导体器件和电感，八个半导体器件分别组成第一桥臂和第二桥臂，所述第一桥臂由并联的第一开关管和第一二极管以及并联的第二开关管和第二二极管组成，所述第二桥臂由并联的第三开关管和第三二极管以及并联的第四开关管和第四二极管组成，所述第一开关管的发射极和所述第二开关管的集电极相连，所述第三开关管的发射极和所述第四开关管的集电极相连，所述第一开关管的发射极、所述电感和所述第四开关管的集电极串联，所述第三开关管的发射极、所述电感和所述第二开关管的集电极串联，所述电感电流存在两种方向。

2.根据权利要求1所述的一种高频功率循环电路，其特征在于，还包括电容，所述电容储存能量作为电源与所述第一桥臂和所述第二桥臂并联，所述第一开关管的集电极和所述第三开关管的集电极与所述电容的一端联接，所述第二开关管的发射极与所述第四开关管的发射极与所述电容的另一端联接。

3.根据权利要求2所述的一种高频功率循环电路，其特征在于，当所述电感内的电流为由左向右时为正方向，此阶段为正半周期循环，时长为10ms；

4.根据权利要求3所述的一种高频功率循环电路，其特征在于，通过控制所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管的开通和关断，使电路在所述正半周期循环和所述负半周期循环之间交替运行。

5.一种高频功率循环电路的控制方法，采用权利要求4所述的一种高频功率循环电路，其特征在于，通过驱动信号控制所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管各自的开关状态。

6.根据权利要求5所述的一种高频功率循环电路的控制方法，其特征在于，在驱动信号的时序前，判断电路是否需要进入正半周期循环，如果判断结果为否，则进入负半周期循环。

7.根据权利要求6所述的一种高频功率循环电路的控制方法，其特征在于，如果判断结果为进入正半周期循环，则执行以下步骤：

8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤宏伟，
申请(专利权)人：深圳尚阳通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：