一种铜箔表面偶联剂处理方法、处理装置及铜箔制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种铜箔表面偶联剂处理方法、处理装置及铜箔，处理方法包括第一偶联剂处理，所述第一偶联剂为亲水性偶联剂或疏水性偶联剂；第二偶联剂处理，所述第二偶联剂为亲水性偶联剂；处理装置包括至少一个处理组件；处理组件包括偶联剂处理机构一、过渡机构和偶联剂处理机构二；偶联剂处理机构一包括转动涂覆部件和偶联剂存放槽，偶联剂存放槽用于存放第一偶联剂，转动涂覆部件用于将偶联剂存放槽内的第一偶联剂涂覆到铜箔的粗化面上；偶联剂处理机构二包括喷淋部件，喷淋部件用于将第二偶联剂喷涂到铜箔的粗化面上。本发明专利技术通过采用多种表面偶联剂结合对铜箔表面进行处理，能够有效提升铜箔与低极性高频高速树脂玻纤布之间的结合力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属表面处理，具体涉及一种铜箔表面偶联剂处理方法、处理装置及铜箔。

技术介绍

1、覆铜板(copper clad laminate，ccl)是将电子玻纤布或其它增强材料浸以树脂，一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料。各种不同形式、不同功能的印制电路板(pcb)，都是在覆铜板上有选择地进行加工、蚀刻、钻孔及镀铜等工序，制成不同的印制电路，以对电子元器件起到支撑和互相连接、互相绝缘的作用。

2、随着5g时代的到来，通讯设备的高频高速需求日益凸显。这些设备所用的高频高速pcb，越来越依靠它的基板材料端，去克服降低其信号传输损失的难题。5g通讯高频高速产品要求覆铜板树脂dk/df更小，传统fr4环氧树脂体系只能满足mid loss需求。针对lowloss及以上等级的需求，覆铜板的树脂体系逐渐往low df的ppo/ppe(聚苯醚)、bmi(双马来酰亚胺)、ptfe(聚四氟乙烯)、pch(丁二烯均聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-二乙烯基苯共聚物等碳氢材料)等材料体系靠近。采用几种不同树脂组成的混合体系具有成本、可加工性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述第一偶联剂体积浓度为0.05％-4％，第一偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基-3-(2-甲氧基乙氧基)硅烷、低聚乙烯基硅烷中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述第二偶联剂体积溶度为0.2％-10％，第二偶联剂为3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种。

4.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述第一偶联剂体积浓度为0.05％-4％，第一偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基-3-(2-甲氧基乙氧基)硅烷、低聚乙烯基硅烷中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述第二偶联剂体积溶度为0.2％-10％，第二偶联剂为3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括第三偶联剂处理，所述第三偶联剂采用氨基硅烷偶联剂；所述第三偶联剂体积溶度为0.1％-2％，第三偶联剂为n-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、双-(γ-三乙氧基甲硅烷基丙基)胺、γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或两种的组合。

5.根据权利要求1所述的一种铜箔表面偶联剂处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括第四偶联剂处理，所述第四偶联剂采用环氧基硅烷偶联剂水溶液；所述第四偶联剂体积溶度为0.2％-10％，第四偶联剂为3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种。

6.一种铜箔表面偶联剂处理装置，其特征在于，所述装置包括：至少一个处理组件；

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱若林，王斌，贺强，徐乐祥，李丹，刘隐，余江伟，
申请(专利权)人：江西省江铜铜箔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：