【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆清洗,具体涉及一种清洗液输出装置。
技术介绍
1、cmp(chemical mechanical planarization)是一种使用化学腐蚀以及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理并且进行后清洗。故过研磨后cmp清洗制程为成功应用cmp于半导体制程之关键技术。
2、现有技术中的,清洗液输出结构是通过将清洗液输出到晶片表面的固定位置,通过晶圆的转动将清洗液分布到晶圆表面各处,但是晶圆转动时无法均匀将清洗液分布到晶圆表面,并且无法保证清洗液有效的进入刷子和晶圆之间,由于清洗液只能分布在刷子的单侧,从而导致清洗液分布不均匀导致产品清洗程度不够,造成产品缺陷。
技术实现思路
1、因此,本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的清洗液分布不均匀缺陷,从而提供一种清洗液输出装置。
2、本技术提供了,一种清洗液输出装置,包括:
3、支撑臂,内部适于设置输液管;
4、喷头,与所述支撑臂连接;所述喷头适于与所述输液管连通;所
...【技术保护点】
1.一种清洗液输出装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的清洗液输出装置,其特征在于,所述喷头(2)具有两个;两个所述喷头(2)分别设置在刷子(5)两侧。
3.根据权利要求2所述的清洗液输出装置,其特征在于,包括:
4.根据权利要求3所述的清洗液输出装置,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求4所述的清洗液输出装置,其特征在于,所述控制组件(4)包括驱动结构(42)和齿轮结构(41);所述齿轮结构(41)与所述连接臂(3)连接;所述驱动结构(42)与所述齿轮结构(41)连接;所述驱动结构(42)为所述连接臂(3
...【技术特征摘要】
1.一种清洗液输出装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的清洗液输出装置,其特征在于,所述喷头(2)具有两个;两个所述喷头(2)分别设置在刷子(5)两侧。
3.根据权利要求2所述的清洗液输出装置,其特征在于,包括:
4.根据权利要求3所述的清洗液输出装置,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求4所述的清洗液输出装置,其特征在于,所述控制组件(4)包括驱动结构(42)和齿轮结构(41);所述齿轮结构(41)与所述连接臂(3)连接;所述驱动结构(42)与所述齿轮结构(41)连接;所述驱动结构(42)为所述连接臂(3)的转动提供驱动力。
6.根据权利要求5所述的清洗液输出装置,其特征在于,齿轮结构(41)包括第一齿轮(411)和第二齿轮(...
【专利技术属性】
技术研发人员:王书宇,黄万祥,
申请(专利权)人:北京晶亦精微科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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