一种基于紧凑型D-D中子源的无损检测装置、方法及应用制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于紧凑型D‑D中子源的无损检测装置、方法及应用。该装置利用紧凑型D‑D中子源作为外源中子，并通过位于中子发生器前方的中子慢化体将2.5MeV的D‑D快中子慢化为热中子或超热中子。慢化后的中子进入水平布局的锥形中子准直器，该孔道前小后大。准直后的热中子束透过待检测物体，透过物体后的热中子由安装在慢化体前方的热中子像探测器系统探测，并转化为数字透射图像。系统获得热中子透射强度的二维空间分布以及材料成分含量，从而解析出被检测物体的内部结构和不同材料的空间分布特征。本发明专利技术具有便携、快速、准确、无损检测和良好空间分辨率的优点，适用于物体的无损检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于物体无损检测，尤其涉及一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置、方法及应用。

技术介绍

1、中子照相技术是一种基于中子束的无损检测方法，主要包括中子透射成像、中子断层扫描成像、中子共振成像、中子极化成像、中子相位成像、中子全息成像、中子小角散射成像和中子编码成像等。与常见的x射线成像类似，中子照相通过中子束穿透物体时发生的散射或吸收作用导致的强度变化来获取被检测物体的内部结构和缺陷信息。由于中子对不同元素物质的敏感性与x射线存在显著差异，且不同能量的中子对各物质的吸收系数不同，中子照相成为x射线成像的重要补充。特别是低能中子成像，能够检测被重元素包裹的轻元素及其缺陷，还可以区分同位素和邻近元素。pgnaa（prompt gamma neutron activationanalysis，即瞬发伽马中子活化分析）是一种用于元素分析的非破坏性检测技术，它通过测量中子与物质相互作用时释放的瞬发伽马射线来确定样品中元素的种类和含量。该技术广泛应用于环境监测、材料科学、考古学、医学诊断等领域。

2、中子照相技术自中子被发现以来，得到了广泛的发本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于紧凑型D-D中子源的无损检测装置，其特征在于：包括D-D中子发生器、中子慢化体、准直孔道和中子成像样品平台；

2.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型D-D中子源的无损检测装置，其特征在于：所述准直孔道位于D-D中子发生器的中子源发射点的前方5cm处。

3.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型D-D中子源的无损检测装置，其特征在于：所述准直孔道呈圆台状，由两个平行的圆形底面和一个连接它们的侧面构成，形成了一个台状的结构，靠近所述D-D中子发生器一侧的圆形底面的直径小于靠近所述中子成像样品平台一侧的圆形底面的直径。

4.根据权利要求1所述的一种基...

【技术特征摘要】

1.一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置，其特征在于：包括d-d中子发生器、中子慢化体、准直孔道和中子成像样品平台；

2.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置，其特征在于：所述准直孔道位于d-d中子发生器的中子源发射点的前方5cm处。

3.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置，其特征在于：所述准直孔道呈圆台状，由两个平行的圆形底面和一个连接它们的侧面构成，形成了一个台状的结构，靠近所述d-d中子发生器一侧的圆形底面的直径小于靠近所述中子成像样品平台一侧的圆形底面的直径。

4.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置，其特征在于：所述中子慢化体的厚度为50cm，共有三层，第一层是石墨层，第二层是含硼聚乙烯，第三层是聚乙烯。

5.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置，其特征在于：所述中子成像样品平台下方设置可供中子成像样品平台移动的滚轮。

6.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型d-d中子源的无损检测装置，其特征在于：所述γ能谱探测器系统与所述旋转样品台之间的可调节范围为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪兵，刘源煜，梁立振，钱玉忠，孟献才，卢棚，
申请(专利权)人：合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室，
类型：发明
国别省市：