放电电极、阳极的制造方法以及电子器件的制造方法技术

使用于通过放电来激励包含氟的激光气体的气体激光装置的放电电极具备阴极和阳极。阳极与阴极对置地配置，包括：电极基材，其包含有金属；以及涂层，其覆盖电极基材的与长度方向平行的侧面的一部分，且包含有绝缘材料。涂层包含：第一部分，其覆盖侧面中的第一区域；以及第二部分，其覆盖侧面中的第二区域，且比第一部分厚，第二区域位于在与长度方向垂直的放电方向上比第一区域远离阴极的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及放电电极、阳极的制造方法以及电子器件的制造方法。

技术介绍

1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化及高集成化，要求提高分辨率。因此，正在推进从曝光用光源放出的光的短波长化。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长约248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的arf准分子激光装置。

2、krf准分子激光装置及arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度宽至350pm～400pm。因此，若由使krf以及arf激光那样的紫外线透射的材料构成投影透镜，则存在产生色差的情况。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化至能够忽略色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具备包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowingmodule：lnm)。以下，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、[专利文献1]日本特开2004本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种放电电极，其使用于通过放电来激励包含氟的激光气体的气体激光装置，其中，

2.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述涂层的所述第一部分的表面的至少一部分与所述侧面中的所述第一区域的至少一部分平行。

3.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述涂层的所述第二部分的表面的至少一部分与所述侧面中的所述第二区域的至少一部分平行。

4.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述第一区域和所述第二区域以及所述第一部分和所述第二部分分别位于包含所述侧面在内的、与所述长度方向平行的两个侧面，

5.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述侧面包含第三区...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种放电电极，其使用于通过放电来激励包含氟的激光气体的气体激光装置，其中，

2.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述涂层的所述第一部分的表面的至少一部分与所述侧面中的所述第一区域的至少一部分平行。

3.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述涂层的所述第二部分的表面的至少一部分与所述侧面中的所述第二区域的至少一部分平行。

4.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述第一区域和所述第二区域以及所述第一部分和所述第二部分分别位于包含所述侧面在内的、与所述长度方向平行的两个侧面，

5.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述侧面包含第三区域，该第三区域位于在所述放电方向上比所述第二区域远离所述阴极的位置，

6.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述侧面的所述第一区域与所述第二区域之间是平坦的，

7.根据权利要求6所述的放电电极，其中，所述侧面包含第三区域，该第三区域位于在所述放电方向上比所述第二区域远离所述阴极的位置，

8.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述第一部分在与所述侧面垂直的方向上的厚度为0.1mm以上且0.2mm以下，

9.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述第二部分在所述放电方向上的长度比所述第一部分在所述放电方向上的长度长。

10.根据权利要求1所述的放电电极，其中，所述第一区域和所述第二区域以及所述第一部分和所述第二部分分别位于包含所述侧面在内的、与所述长度方向平行的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：窟司，嘉藤真英，
申请(专利权)人：极光先进雷射株式会社，
类型：发明
国别省市：