【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空电子，尤其涉及一种真空晶体管及其制作方法、阵列基板。
技术介绍
1、传统真空电子曾经作为电子信息领域重要的技术方案获得了广泛的研究和应用，然而因为真空电子器件的体积大、真空集成难、工作环境局限等一系列应用限制，其逐渐被以半导体材料为基础的固态电子器件所替代。
2、然而，经过几十年的发展，固态半导体器件逐步逼近物理极限，摩尔定律已经失效，器件的制造成本大幅提升，而性能却因电子在半导体材料中的传输损耗被放大而得不到提升。针对此问题，传统真空电子学又重新进入了研究视野。具有良好电子传输特性的纳米级真空沟道电子晶体管(nano vacuum electronic transistor，nvet)被视为替代传统半导体器件的潜力技术方向。
3、当纳米真空沟道远小于电子在传输介质(如空气、氦气或者真空)中的平均自由程时(例如小于平均自由程的1/10)，电子在沟道内呈现弹道运输(ballistic transport)，其载流子迁移率以及载流子传输速度都有大幅提升。此外，相较于si、gaas、gan等半导体材料...
【技术保护点】
1.一种真空晶体管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的真空晶体管，其特征在于，所述真空晶体管还包括：
3.如权利要求2所述的真空晶体管，其特征在于，所述发射极位于所述衬底基板的一侧，所述收集极位于所述发射极远离所述衬底基板的一侧；
4.如权利要求2或3所述的真空晶体管，其特征在于，所述真空晶体管还包括：包裹所述环形栅极的环形结构；所述环形结构在所述衬底基板上的正投影环绕所述台阶结构，且与所述台阶结构间隔设置。
5.如权利要求4所述的真空晶体管，其特征在于，所述环形栅极位于所述发射极所在层与所述收集极所在层之间；<...
【技术特征摘要】
1.一种真空晶体管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的真空晶体管，其特征在于，所述真空晶体管还包括：
3.如权利要求2所述的真空晶体管，其特征在于，所述发射极位于所述衬底基板的一侧，所述收集极位于所述发射极远离所述衬底基板的一侧；
4.如权利要求2或3所述的真空晶体管，其特征在于，所述真空晶体管还包括：包裹所述环形栅极的环形结构；所述环形结构在所述衬底基板上的正投影环绕所述台阶结构，且与所述台阶结构间隔设置。
5.如权利要求4所述的真空晶体管，其特征在于，所述环形栅极位于所述发射极所在层与所述收集极所在层之间；
6.如权利要求4所述的真空晶体管，其特征在于，所述环形栅极位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：江峰，何昱蓉，周超，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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