一种高纯度三氟化硼11的纯化方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，包括以下步骤：S1、将三氟化硼11的纯化装置进行氮气吹扫并置换，保持水分含量＜1ppm；S2、将三氟化硼11原料经过吸附除杂，脱除部分HF杂质，得到混合气；S3、将S2得到的混合气通过精馏脱除轻组分，得到混合液；S4、将S3得到的混合液再次经过精馏脱除重组分，得到高纯三氟化硼11；S5、将高纯三氟化硼11收集到冷阱并进行充装。本发明专利技术发明专利技术的技术方案，将采购的产品通入精馏塔去除轻组分和重组分，得到高纯产品，通过精馏过程的精确控制，有效去除了三氟化硼11中的轻组分和重组分杂质，如H<subgt;2</subgt;、O<subgt;2</subgt;、Ar、N<subgt;2</subgt;、CO<subgt;2</subgt;、SO<subgt;2</subgt;、HF、SiF<subgt;4</subgt;等，从而能够获得高纯度的5N级三氟化硼11产品，满足高端应用的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及精细化工纯化领域，尤其涉及一种高纯度三氟化硼11的纯化方法及装置。

技术介绍

1、三氟化硼，无色气体，有窒息性，在空气中遇到潮气，立即分解为氟硼酸和硼酸。高纯三氟化硼用于电子工业，作为硅和锗的外延、扩散和立离子注入过程的p型掺杂源、也可以作为制备光纤预制件的原料，作为硼掺杂剂用于硅离子布植方面，生产出的芯片具有高集成、高密度的特点。硼元素分为硼-10和硼-11，硼-10对快速中子具有非常强的吸附能力，在核电、现代工业、军事装备等方面的应用也日益广泛，硼-11同位素作为集成电路的半导体掺杂所生产的集成电路芯片具有极强的抗辐射和抗单粒子效应能力。三氟化硼11是半导体制造过程中的消耗性材料，在全球半导体产业向东转移背景下，国内半导体企业对高纯、高丰度的三氟化硼11需求迅速增长，但三氟化硼11生产技术壁垒高、产能低，我国市场需求主要依赖进口，但进口三氟化硼11单价高，在现处的背景下，三氟化硼11亟需国产化生产。

2、随着电子产业的迅速发展，对三氟化硼11纯度的要求也日益提高。在三氟化硼11的制备过程中，由于其制备方法的不同，合成过程中的杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，还包括步骤S6、将步骤S3脱除的轻组分和步骤S4脱除的重组分收集到三废冷阱，再经过初分塔提纯，使三氟化硼11的质量分数含量≥99％，作为原料继续纯化。

3.根据权利要求2所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤S6中，三废冷阱的操作温度为-120～-100℃。

4.根据权利要求2所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤S6中，初分塔操作温度为-90～-60℃，操作压力为0.3～0.8...

【技术特征摘要】

1.一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，还包括步骤s6、将步骤s3脱除的轻组分和步骤s4脱除的重组分收集到三废冷阱，再经过初分塔提纯，使三氟化硼11的质量分数含量≥99％，作为原料继续纯化。

3.根据权利要求2所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤s6中，三废冷阱的操作温度为-120～-100℃。

4.根据权利要求2所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤s6中，初分塔操作温度为-90～-60℃，操作压力为0.3～0.8mpa，回流比为5～10。

5.根据权利要求1所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤s2中，三氟化硼11的质量分数含量大于等于99％。

6.根据权利要求1所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤s2中，三氟化硼11原料进行纯化的流量为0.5～2kg/h。

7.根据权利要求1所述的一种高纯度三氟化硼11的纯化方法，其特征在于，在步骤s3中，通过精馏操作去除轻组分的操作温度为-90～-60℃，操作压力为0.3～0....

【专利技术属性】
技术研发人员：吕浩然，尚青，花莹曦，马领军，朱文东，袁攀攀，郑阳光，蔺新星，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：