转移载板、驱动背板及发光二极管芯片的转移方法技术

技术编号:43922279 阅读:23 留言:0更新日期:2025-01-03 13:26
本公开实施例公开一种转移载板、驱动背板及发光二极管芯片的转移方法。在一具体实施方式中,该转移载板包括基底及设置在所述基底上的N个第一颜色发光二极管芯片组,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度大于第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度,N>1,n=1,…,N‑1,每个第一颜色发光二极管芯片组包括阵列排布的多个第一颜色发光二极管芯片,每个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的分布位置匹配于驱动背板上的第一颜色子像素的焊盘的分布位置。该实施方式可降低发光二极管显示产品的制作难度,提升生产效率,降低生产成本,提升转移载板的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示。更具体地,涉及一种转移载板、驱动背板及发光二极管芯片的转移方法


技术介绍

1、显示器件作为信息产业的基本器件单元,其技术在不断的演变和革新。对其性能要求越来越高,新的显示技术不断发展。目前,发光二极管(light emitting diode,led)显示器件被广泛研究。例如对于迷你发光二极管(mini light emitting diode,mini led)显示器件或微型发光二极管(micro light emitting diode,micro led)显示器件等led显示器件,其工作原理为采用集成电路工艺制成驱动电路,来实现每一个子像素定址控制和单独驱动。

2、在led显示器件的产业化过程中面临的一个核心技术难题是led芯片的巨量转移(mass transfer)技术,由于led芯片非常细小,而巨量转移技术要求非常高的效率、良品率和转移精度,巨量转移技术成为了led显示器件研发过程的最大挑战,阻碍了led显示器件的推广与使用。


技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种转移载板,其特征在于,包括基底及设置在所述基底上的N个第一颜色发光二极管芯片组,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度大于第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度,N>1,n=1,…,N-1,每个第一颜色发光二极管芯片组包括阵列排布的多个第一颜色发光二极管芯片,每个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的分布位置匹配于驱动背板上的第一颜色子像素的焊盘的分布位置。

2.根据权利要求1所述的转移载板,其特征在于,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度与第n个第一颜色发光二极管芯片组中...

【技术特征摘要】

1.一种转移载板,其特征在于,包括基底及设置在所述基底上的n个第一颜色发光二极管芯片组,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度大于第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度,n>1,n=1,…,n-1,每个第一颜色发光二极管芯片组包括阵列排布的多个第一颜色发光二极管芯片,每个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的分布位置匹配于驱动背板上的第一颜色子像素的焊盘的分布位置。

2.根据权利要求1所述的转移载板,其特征在于,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度与第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度的差值大于等于0.5μm。

3.根据权利要求2所述的转移载板,其特征在于,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度与第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度的差值小于等于50μm。

4.根据权利要求1所述的转移载板,其特征在于,第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的引脚高度大于第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的引脚高度,使得第n+1个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度大于第n个第一颜色发光二极管芯片组中的第一颜色发光二极管芯片的高度。

5.一种驱动背板,其特征在于,包括衬底及设置在所述衬底上的第一焊盘组、第二焊盘组和第三焊盘组,所述第一焊盘组包括阵列排布的多个第一焊盘,所述第二焊盘组包括阵列排布的多个第二焊盘,所述第三焊盘组包括阵列排布的多个第三焊盘,所述驱动背板还包括与所述第一焊盘键合的第一发光二极管芯片、与所述第二焊盘键合的第二发光二极管芯片和与所述第三焊盘键合的第三发光二极管芯片;

6.根据权利要求5所述的驱动背板,其特征在于,所述第一发光二极管芯片的引脚高度大于所述第二发光二极管芯片的引脚高度以使得所述第一发光二极管芯片的远离所述衬底一侧表面的高度大于所述第二发光二极管芯片的远离所述衬底一侧表面的高度,和/或,所述第二发光二极管芯片的引...

【专利技术属性】
技术研发人员:张方振孙双牛菁
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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