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一种钯掺杂二氧化锡敏感材料及其制备方法、双层膜结构气体传感器及其制备方法和应用技术

技术编号:43919772 阅读:28 留言:0更新日期:2025-01-03 13:24
本发明专利技术提供了一种钯掺杂二氧化锡敏感材料及其制备方法、双层膜结构气体传感器及其制备方法和应用,涉及气体传感器技术领域。本发明专利技术提供的钯掺杂二氧化锡敏感材料的制备方法,包括以下步骤:将SnO<subgt;2</subgt;凝胶、钯源和还原剂混合,进行还原处理,得到所述钯掺杂二氧化锡敏感材料。本发明专利技术采用溶胶凝胶法制备钯掺杂二氧化锡敏感材料,该材料具有多孔结构,比表面积大,有利气体扩散,能够实现气体快速吸附和脱附。并且本发明专利技术采用钯掺杂二氧化锡作为敏感层和Na型X分子筛作为覆盖层来构筑双层膜结构器件,制备的气体传感器具有优异的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于气体传感器,具体涉及一种钯掺杂二氧化锡敏感材料及其制备方法、双层膜结构气体传感器及其制备方法和应用


技术介绍

1、氢气作为一种清洁能源,受到了越来越多的关注和重视。其高能量密度、零排放以及可再生等特点使其成为替代传统化石能源的重要选择。然而,随着氢能源技术的发展,氢气的安全性问题也日益凸显。氢气具有易燃易爆的性质,一旦泄漏或浓度超过安全范围,很可能引发严重的安全事故,因此对氢气浓度的快速、准确检测成为当务之急。

2、传统的氢气传感器主要包括金属氧化物半导体气体传感器、电化学传感器等。虽然这些传感器在一定程度上能够满足氢气检测的需求,但其存在着灵敏度低的缺陷;且传统的氢气传感器在高湿(50~90%rh)恶劣环境下存在稳定性较差的缺陷,应用效果不佳,无法满足实际工程应用的需求。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种钯掺杂二氧化锡敏感材料及其制备方法、双层膜结构气体传感器及其制备方法和应用,采用本专利技术钯掺杂二氧化锡敏感材料制备的气体传感器具有较高的灵敏度,且具有优异的耐高温本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钯掺杂二氧化锡敏感材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述SnO2凝胶的制备方法包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述锡源包括锡盐、锡氧化物和氢氧化锡中的一种或多种;

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钯源包括钯盐、钯氧化物和氢氧化钯中的一种或多种。

5.根据权利要求1~4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述锡源和碱源的质量比为1~5:1~3;

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述还原处理的温度为5~50℃,...

【技术特征摘要】

1.一种钯掺杂二氧化锡敏感材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述sno2凝胶的制备方法包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述锡源包括锡盐、锡氧化物和氢氧化锡中的一种或多种;

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钯源包括钯盐、钯氧化物和氢氧化钯中的一种或多种。

5.根据权利要求1~4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述锡源和碱源的质量比为1~5:1~3;

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述还原处理的温度为5~50℃,时间为1~5h;所述还原处理在紫外光照条件下进行。

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【专利技术属性】
技术研发人员:王天双韩文讲卢革宇孙鹏
申请(专利权)人:吉林大学
类型:发明
国别省市:

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