【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体处理装置及其开腔方法。
技术介绍
1、半导体处理装置利用反应腔室内部形成的处理空间，对置于其中的半导体基片进行集成电路制造相关的工艺处理。示例的反应腔室，包括腔体和可对腔体的开口进行封闭的腔室顶盖；在半导体处理装置停止工作时，可以打开腔室顶盖对腔体内或腔室顶盖处的零部件进行维护。目前用于开启反应腔室的机构，结构复杂，占用空间大，成本高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体处理装置及其开腔方法，对开启反应腔室的结构进行设计，减少空间占用，并降低成本。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供一种半导体处理装置，包括构成反应腔室的腔室顶盖和多个腔体，所述多个腔体层叠设置，所述多个腔体包括位于所述腔室顶盖下方的上腔体和与所述半导体处理装置的框架固定的下腔体，所述半导体处理装置还包括：提升轴，其竖向设置在所述多个腔体的一侧，并且所述腔室顶盖和上腔体分别可转动地连接至提升轴；一驱动装置，用于驱动所述提升轴带动所述腔室顶盖升降，或者...
【技术保护点】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：构成反应腔室的腔室顶盖和多个腔体，所述多个腔体层叠设置，所述多个腔体包括位于所述腔室顶盖下方的上腔体和与所述半导体处理装置的框架固定的下腔体；
2.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，
7.如权利要求5或6所述的半导体处理装置，其特征在于，<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：构成反应腔室的腔室顶盖和多个腔体，所述多个腔体层叠设置，所述多个腔体包括位于所述腔室顶盖下方的上腔体和与所述半导体处理装置的框架固定的下腔体；
2.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，
7.如权利要求5或6所述的半导体处理装置，其特征在于，
8.如权利要求1或5所述的半导体处理装置，其特征在于，
9.如权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，
10.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体处理装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡甘成，黄稳，郑振宇，张昭，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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