基于混合非线性摆率增强的无片外电容LDO和芯片制造技术

本申请涉及基于混合非线性摆率增强的无片外电容LDO和芯片，基于push‑pull的低功耗运算放大器结构并结合瞬态摆率增强电路提供的非线性摆率增强结构，以较小的静态功耗实现动态交流小信号的非线性放大，大大提高了功率调整管的栅极电压随负载电流变化的摆率，从而大幅提高了无片外电容LDO的瞬态响应速度；此外，该无片外电容LDO中的零点补偿电路采用零点注入以及有源电容倍增技术保证无片外电容LDO的电路在轻负载时的环路稳定性，很好的满足了实际的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电源管理电路，涉及一种基于混合非线性摆率增强的无片外电容ldo和芯片。

技术介绍

1、ldo(即低dropout regulator，是一种直流线性电压调节器，其主要功能是将输入电压转换为稳定的输出电压)以成本低、体积小和噪声性能好等特点常应用于电源管理芯片当中。传统ldo电路输出端需挂一个微法拉级别的片外电容，以保证ldo的稳定性并减小输出电压随负载的波动。随着soc(系统级芯片)的迅速发展，去掉片外电容以减少输出pad(引脚焊盘)和pcb(印刷电路板)等成本开销，为soc中数字电路模块供电的全集成无片外电容ldo电路的一个重要研究方向。

2、传统ldo电路的输出电容为微法拉级别，其输出端口提供一个主极点，在运算放大器的输出端添加一个缓冲(buffer)实现主次极点分离从而保证ldo的稳定性，并在负载变化较大时候使用该片外大的电容以减小输出电压的下冲(undershoot)和过冲(overshoot)。

3、在为soc中数字电路模块供电的ldo当中，数字电路模块的负载范围要求不会特别大，但由于数字电路基于时钟边沿进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于混合非线性摆率增强的无片外电容LDO，其特征在于，包括偏置电路、跨导放大器、功率调整管、瞬态摆率增强电路、零点补偿电路和反馈电阻；所述零点补偿电路包括米勒零点补偿单元和前馈零点补偿单元；

2.根据权利要求1所述的基于混合非线性摆率增强的无片外电容LDO，其特征在于，所述偏置电路包括基准电流源IBIAS、晶体管MN1、晶体管MN2和晶体管MP1，所述基准电流源IBIAS的正端用于连接电源，所述基准电流源IBIAS的负端分别连接所述晶体管MN1的漏极和栅极，所述晶体管MN2的栅极连接所述晶体管MN1的栅极，所述晶体管MN1的源极和所述晶体管MN2的源极均接地，所述晶体...

【技术特征摘要】

1.一种基于混合非线性摆率增强的无片外电容ldo，其特征在于，包括偏置电路、跨导放大器、功率调整管、瞬态摆率增强电路、零点补偿电路和反馈电阻；所述零点补偿电路包括米勒零点补偿单元和前馈零点补偿单元；

2.根据权利要求1所述的基于混合非线性摆率增强的无片外电容ldo，其特征在于，所述偏置电路包括基准电流源ibias、晶体管mn1、晶体管mn2和晶体管mp1，所述基准电流源ibias的正端用于连接电源，所述基准电流源ibias的负端分别连接所述晶体管mn1的漏极和栅极，所述晶体管mn2的栅极连接所述晶体管mn1的栅极，所述晶体管mn1的源极和所述晶体管mn2的源极均接地，所述晶体管mn2的漏极分别连接所述晶体管mp1的漏极和栅极，所述晶体管mp1的源极用于连接电源；所述晶体管mn1的栅极引出第一偏置输出端，所述晶体管mp1的漏极引出第二偏置输出端。

3.根据权利要求2所述的基于混合非线性摆率增强的无片外电容ldo，其特征在于，所述跨导放大器包括晶体管mp2、晶体管mp3、晶体管mp4、晶体管mp5、晶体管mp6、晶体管mn3、晶体管mn4、晶体管mn5和晶体管mn6；

4.根据权利要求1至3任一项所述的基于混合非线性摆率增强的无片外电容ldo，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡鹏渊，冯华，刘功哲，陈洁，马磊，田震，
申请(专利权)人：上海芯钛信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：