一种体声波谐振器及滤波器制造技术

技术编号:43908600 阅读:22 留言:0更新日期:2025-01-03 13:17
本申请公开了一种体声波谐振器及滤波器,涉及半导体器件技术领域,本申请的体声波谐振器,包括衬底以及依次设置于衬底上的下电极、压电层和上电极,衬底的上表面内凹形成空腔,空腔、下电极、压电层以及上电极在层级方向投影重合的区域为有效谐振区域,上电极上设置有声反射结构,声反射结构包括沿有效谐振区域边缘设置的多个反射柱。本申请提供的体声波谐振器及滤波器,能够在提升品质因数的同时降低寄生谐振。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件,具体而言,涉及一种体声波谐振器及滤波器


技术介绍

1、体声波谐振器因其高q值、体积小、可集成化等特点而引起了很多研究关注,并且随着移动通信技术的飞速发展,薄膜体声波谐振器不仅在射频前端中得到大量应用,也在传感器检测应用中表现出很大的潜力。薄膜体声波器件的激励方式主要分为两种,一种是采用厚度场激励模式,两个电极分别在压电层的两面,电场沿着压电层的厚度方向;另一种是采用横向场激励模式,两个电极在压电层的同一面。在实际应用中,这两种激励模式都会引起压电层体内的质点产生厚度剪切振动,它产生的声波在层内传播,属于体声波。体声波谐振器一般是通过在上电极-压电层-下电极的三明治结构上下表面形成空气界面,利用固体与气体声阻抗的巨大差异,使得纵波能量能够反射、聚集在三明治结构内部,形成谐振。

2、其中,品质因数作为体声波谐振器重要的参数,决定着体声波谐振器的插入损耗、带外抑制、带边陡度等重要性能指标,现有技术中提高体声波谐振器的品质因数通常采用的方法是通过设计声反射结构来实现的。具体的,在谐振器有源区的边缘设计环状的边框结构,这种声反射结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括衬底以及依次设置于所述衬底上的下电极、压电层和上电极,所述衬底的上表面内凹形成空腔,所述空腔、所述下电极、所述压电层以及所述上电极在层级方向投影重合的区域为有效谐振区域,所述上电极上设置有声反射结构,所述声反射结构包括沿所述有效谐振区域边缘设置的多个反射柱。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声反射结构包括沿所述有效谐振区域中心到外周的多层反射柱。

3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声反射结构还包括向所述有效谐振区域内凸出的多个子反射结构,所述子反射结构包括至少呈两层布置的多个反射柱...

【技术特征摘要】

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括衬底以及依次设置于所述衬底上的下电极、压电层和上电极,所述衬底的上表面内凹形成空腔,所述空腔、所述下电极、所述压电层以及所述上电极在层级方向投影重合的区域为有效谐振区域,所述上电极上设置有声反射结构,所述声反射结构包括沿所述有效谐振区域边缘设置的多个反射柱。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声反射结构包括沿所述有效谐振区域中心到外周的多层反射柱。

3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声反射结构还包括向所述有效谐振区域内凸出的多个子反射结构,所述子反射结构包括至少呈两层布置的多个反射柱。

4.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,靠近所述有效谐振区域中心的一层反射柱中,部分反射柱移位至更靠近所述有效谐振区域中心的一层,以使多层反射柱的内部边界线与所述有效谐振区域的边界不同。

5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:代金豪皮本松李晓龙王健孙博文孙成亮
申请(专利权)人:武汉敏声新技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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