一种大尺寸晶圆增强型清洗方法技术

本发明专利技术提供一种大尺寸晶圆增强型清洗方法，属于半导体制造技术领域。本发明专利技术能够通过先直接进入清洗刷单元一，也就是先用刷子刷洗辅以氢氟酸去离子水混合液清洗，强酸状态下进行粗洗，洗去大部分晶圆表面研磨液残留物。晶圆刚出研磨区域，晶圆表面的研磨液及其他化学残留物能第一时间更快的进行刷子刷洗，加上氢氟酸作用提升粗洗的清洗效果。本发明专利技术提升了去除晶圆表面研磨液残留物的速度，减少了残留物对晶圆表面的进一步刻蚀，降低了刻蚀量不一致的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种大尺寸晶圆增强型清洗方法。

技术介绍

1、晶圆清洗在半导体行业中异常重要，而在cmp(chemical mechanicalplanarization)研磨后的清洗通常会用去离子水进行颗粒清除，而一些研磨液残留物，金属离子等必须用到酸性溶液及机械旋转等方式进行清洗，比如particle、slurry residue、chemical residue、buried particle等都对晶圆的良率造成一定的影响。cmp目前的化学清洗是利用各种化学试剂和有机溶剂清除附着在物体表面上的杂质的方法。在半导体制造领域，化学清洗是指清除吸附在半导体、金属材料以及用具等物体表面上的各种有害杂质的工艺过程。晶圆清洗是以整个批次或者单一晶圆，通过化学清洗的方法，由化学品的浸泡或者喷洒去除脏污的工艺，其主要目的是清除晶圆表面的污染物，例如微尘颗粒(particle)、有机物(organic)、无机物以及金属离子(metalion)等杂质。

2、一般情况下，化学机械研磨后的清洗方法分为以下几种步骤：晶圆研磨完成后进入清洗区，晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，应用于清洗系统，所述清洗系统包括第一刷洗单元、兆声清洗单元、第二刷洗单元和甩干单元；所述清洗方法包括：

2.如权利要求1所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，所述在晶圆旋转状态下，对第一刷洗后的晶圆进行兆声清洗和第二刷洗包括：

3.如权利要求1所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，所述在晶圆旋转状态下，对第一刷洗后的晶圆进行兆声清洗和第二刷洗包括：

4.如权利要求1所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，在晶圆旋转状态下，通过去离子水、氮气吹干、喷洒异丙醇，对晶圆进行清洁和干燥之前，还包括：...

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，应用于清洗系统，所述清洗系统包括第一刷洗单元、兆声清洗单元、第二刷洗单元和甩干单元；所述清洗方法包括：

2.如权利要求1所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，所述在晶圆旋转状态下，对第一刷洗后的晶圆进行兆声清洗和第二刷洗包括：

3.如权利要求1所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，所述在晶圆旋转状态下，对第一刷洗后的晶圆进行兆声清洗和第二刷洗包括：

4.如权利要求1所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征在于，在晶圆旋转状态下，通过去离子水、氮气吹干、喷洒异丙醇，对晶圆进行清洁和干燥之前，还包括：

5.如权利要求4所述的大尺寸晶圆增强型清洗方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，汪志宇，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：