【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存存储器(例如，nand型和nor型闪存存储器)。
2、存储器系统可以用于存储由主机设备(或其他客户端)提供的数据。然而，在操作此类存储器系统时存在各种挑战。特别地，随着存储器单元的尺寸减小并且存储器阵列的密度增加，维持正被存储的数据的完整性变得更具挑战性。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压基于所述第一计数而自适应地增加。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压随着所述存储器单元的块先前已被编程并且擦除的次数增加而自适应地增加。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压基于所述第一计数以步进方式自适应地增加。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述偏移是固定值。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压基于所述第一计数而自适应地增加。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压随着所述存储器单元的块先前已被编程并且擦除的次数增加而自适应地增加。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压基于所述第一计数以步进方式自适应地增加。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述偏移是固定值。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一漏极到栅极电压是基于编程-擦除周期计数从线性等式或非线性等式中确定的。
8.根据权利要求1所述的装置，其中：
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第二漏极到栅极电压基于所述第一计数而自适应地增加。
10.根据权利要求8所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘义航，朱晓晨，L·德拉拉玛，高峰，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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