一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路制造技术

本公开属于电子电路技术领域，特别涉及一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路。输入级由NDMOS晶体管HNM1和HNM2构成，浮动电压域由PDMOS晶体管HPM1‑HPM4，低压NMOS NM1‑NM2构成。其中，晶体管HPM1/NM1以及晶体管HPM2/NM2构成了一对夹紧反相器。本公开中，该电平转换电路的PDMOS之间不存在缩放关系，因此上拉管可以使用强的PDMOS(HPM1和HPM2)来实现较快的转换速度，解决了传统高压电平转换电路的局限性。4个PDMOS晶体管可以放置在与浮动电路相同的N阱中(PDMOS体连接到V<subgt;DDH</subgt;)。这将每个电平转换器所需的N阱数量从6个减少到4个，从而节省20‑30％的面积。该浮动电压电平转换电路可抗高电源转换速率(dV<subgt;SSH</subgt;/dt)噪声，具有高可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于电子电路，特别涉及一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路。

技术介绍

1、在使用两个或多个不同电源电压的电路系统中，浮动电压电平转换器用于子块之间的互连通信。在传感器接口、电源管理、通信接口和医疗电子等集成电路领域中有着广泛的应用。将信号从低电压转换为高电压的电平转换电路设计存在各种挑战，主要包括低传播延迟，低功耗，小的布局面积和高电源转换速率(dv/dt)耐受。传统的高压电平转换电路主要包含三种类型：电流镜电平转换器、电容耦合电平转换器和直接耦合电平转换器。其中，直接耦合电平转换器具有不消耗静态电流和不使用高压电容的优点，得到广泛应用。如图1所示，图1引用了y.moghe,t.lehmann和t.piessens发表的文献《nanosecond delayfloating high voltage level shifters in a 0.35μm hv-cmos technology》为目前最先进的直接耦合电平转换电路拓扑,该电路的主要特征是除了hnm1和pm1之间存在电流争用，hpm1和pm1之间的比率也是关键的设计参数，文献给本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，所述电路包括相互连接的低压域和浮动电压域；

2.根据权利要求1所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，所述浮动电压域还包括级联反向器；

3.根据权利要求1或2所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的高电源转换速率耐...

【技术特征摘要】

1.一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，所述电路包括相互连接的低压域和浮动电压域；

2.根据权利要求1所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，所述浮动电压域还包括级联反向器；

3.根据权利要求1或2所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转...

【专利技术属性】
技术研发人员：余占清，陈政宇，陈世萍，时家旭，樊志刚，曾嵘，吴锦鹏，刘佳鹏，赵彪，屈鲁，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：