一种聚合物二氧化硅异质调制臂的M-Z光波导温度传感器制造技术

本发明专利技术提供一种聚合物二氧化硅异质调制臂的M‑Z光波导温度传感器，包括具有三层膜结构的基底芯片，其从上到下依次包括：高折射率的第一二氧化硅层；低折射率的第二二氧化硅层；基层；在基底芯片的低折射率的第二二氧化硅层上形成有M‑Z光波导结构层，其包括两个分支臂，其中一个分支臂为聚合物波导，另一个分支臂为二氧化硅波导，两个分支臂均位于同一平面上；在M‑Z光波导结构层中，光在其输入端被分为两路，分别沿着两个分支臂传播，随后在其输出端重新合并。本发明专利技术同时具备损耗低、工艺简单、低成本、传感精度高、高灵敏度、结构简单，易于集成等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及聚合物光波导和二氧化硅波导混合集成光子芯片制备，具体涉及一种聚合物二氧化硅同平面异质波导调制臂的马赫-曾德尔(mach-zenhder，m-z)混合集成光波导温度传感器。

技术介绍

1、多材料混合集成光子芯片是光子芯片领域的重要分支，混合集成光子芯片利用不同性质的波导材料在片上进行集成，以提高光子芯片功能、性能为目的。二氧化硅芯片是重要的无源光子芯片材料，具有低损耗、稳定性高的特点，已经被应用于耦合器、分束器、awg等商用芯片。聚合物材料是光波导器件的重要材料，特别是其高热光系数、高生物兼容性、自愈性，尤其适用于热光器件、可穿戴和传感应用领域。光波导温度传感器是现阶段聚合物和二氧化硅的混合集成光子器件的重要方向，该方向主要利用聚合物的高热光系数，提升温度传感器的传感器灵敏度。

2、m-z光波导传感器是实现温度传感的重要结构，相比于光栅等传感结构，m-z光波导传感器不需要光谱的检测，其制备不需要亚微米工艺精度。现有的m-z光波导传感器两臂主要为同种材料的波导，通过改变两个m-z分支臂的长度或改变分支臂的宽度，进而实现非对称m-z。当本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种聚合物二氧化硅异质调制臂的M-Z光波导温度传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述聚合物波导和二氧化硅波导的制备步骤包括：

4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于：

8.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的传感器，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种聚合物二氧化硅异质调制臂的m-z光波导温度传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述聚合物波导和二氧化硅波导的制备步骤包括：

4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：衣云骥，覃胤翔，高瞻宇，张其政，杜育航，吴丹，
申请(专利权)人：深圳技术大学，
类型：发明
国别省市：