【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种缺陷分类方法、装置及存储介质。
技术介绍
1、半导体芯片制造需要多道工艺以实现所需的结构。不论哪一步工艺，都会有缺陷产生的风险，从而影响产品良率。这些缺陷来源于机台污染、工艺制程不完善、设计结构不合理、工艺材料不合格等。因此在这些工艺中会穿插多次的缺陷检测，以实现对芯片上缺陷的监控。为了能够提高产品良率，会对缺陷来源进行追溯。其方法是通过缺陷检测或复检设备获得缺陷图片，进而分离出缺陷图像，然后根据缺陷图像进行分类，分析产生缺陷的各种原因，从而指导工艺的优化与改进。
2、以常见的缺陷分类为例，其主要包括通过人工判断缺陷图像的手动分类以及基于识别缺陷特征的自动分类。其中，人工判断缺陷图像手动分类，需要工程师对缺陷图像一一识别判断，耗费人力较多，分类时间较慢。自动分类中的传统缺陷检测分类算法鲁棒性弱，对于不同工艺情况产生的缺陷，识别能力较差，无法很好地满足当前缺陷识别的要求。而自动分类中基于机器学习的分类算法，在经过较佳地训练后可解决了不同领域的图案分类和目标识别问题，但上述缺陷分类需要长期地进行...
【技术保护点】
1.一种缺陷分类方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缺陷分类方法，其特征在于，所有待分类的缺陷图像均采用相同种类的缺陷检测设备获取。
3.根据权利要求2所述的缺陷分类方法，其特征在于，所述缺陷图像中背景部分的面积占比大于或等于三分之二。
4.根据权利要求1所述的缺陷分类方法，其特征在于，采用直方图算法、余弦相似度、内容特征法、关键点匹配、峰值信噪比、结构相似度算法、哈希算法、ORB算法或尺度不变特征变换算法中的一种或任几种计算两个缺陷图像的背景部分之间的相似度。
5.根据权利要求4所述的缺陷分类方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种缺陷分类方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的缺陷分类方法，其特征在于，所有待分类的缺陷图像均采用相同种类的缺陷检测设备获取。
3.根据权利要求2所述的缺陷分类方法，其特征在于，所述缺陷图像中背景部分的面积占比大于或等于三分之二。
4.根据权利要求1所述的缺陷分类方法，其特征在于，采用直方图算法、余弦相似度、内容特征法、关键点匹配、峰值信噪比、结构相似度算法、哈希算法、orb算法或尺度不变特征变换算法中的一种或任几种计算两个缺陷图像的背景部分之间的相似度。
5.根据权利要求4所述的缺陷分类方法，其特征在于，在比对待分类的缺陷图像中任意两个缺陷图像的背景部分之间的相似度时，调整算法以淡化缺陷图片的最大亮度、最低亮度及最大对比度对相似度计算的影响。
6.根据权利要求1所述的缺陷分类方法，其特征在于，所述缺陷图像的背景部分包括相接的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓楠，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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