【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测量，特别是涉及一种高压下原位测量半导体材料电学性质的方法。
技术介绍
1、在高压下原位测量半导体材料的电学性质时，现有技术中已有采用金刚石对顶砧(dac)来实现高压测量，它适合与多种测试方法配套进行高温高压下物理量的原位测量。在采用金刚石对顶砧来测量所需要的物理量之前，需要在金刚石对顶砧上形成所希望的金属电极。中国专利技术专利申请no.02132456.5公开了一种在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法，但其金属电极还存在一定的电极易脱落、金刚石易损伤的问题，从而影响了测量装置的使用寿命。
2、在高压下，金刚石砧面边缘处存在很大的剪切应力。在100gpa的情况下，在金刚石砧面边缘处所产生的侧向压力要大于10gpa，这经常会造成电极在此处的断裂，降低实验的成功率。因此，可以设想在金属电极上加盖一层坚硬的绝缘层，将会有助于这个问题的解决。2000年，美国lawerence livermore国家实验室weir等人首次在集成有金属电极的金刚石对顶砧上外延生长了金刚石薄膜，来起到保护电极的作用。但是该方法工艺复杂，不仅需...
【技术保护点】
1.一种高压下原位测量半导体材料电学性质的方法，包括在金刚石对顶砧面上形成金属电极的电极形成步骤，所述电极形成步骤包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用射频溅射工艺形成所述钼电极膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钼电极膜的厚度为200-300nm。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述射频溅射工艺中，所述金刚石对顶砧面的温度保持在300℃，溅射时间为3-5分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用磁控溅射工艺形成所述氧化铝膜。
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种高压下原位测量半导体材料电学性质的方法，包括在金刚石对顶砧面上形成金属电极的电极形成步骤，所述电极形成步骤包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用射频溅射工艺形成所述钼电极膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钼电极膜的厚度为200-300nm。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述射频溅射工艺中，所述金刚石对顶砧面的温度保持...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘跃武，韩崇，张乐，康健，张磊，张宁，杨峰，韩百萍，赵恩兰，王磊，董妍，
申请(专利权)人：徐州工程学院，
类型：发明
国别省市：
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