【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、随着光伏技术的快速发展，晶体硅太阳能电池的转换效率逐年提高。其中，背接触太阳能电池（tbc电池）凭借转换效率高、与topcon（隧穿钝化太阳能电池）电池产线兼容性高等诸多优点脱颖而出，行业内许多厂家开始加大对于tbc电池的研发和生产投入。
2、目前，tbc电池的制备工艺路线为：碱抛光衬底、背面第一次沉积隧穿氧化物层和非晶硅层、硼扩散掺杂形成掩膜硼硅玻璃（bsg层）、第一次开槽并清洗、背面第二次沉积隧穿氧化物层和非晶硅层、磷扩散掺杂形成掩膜磷硅玻璃（psg层）、第二次开槽、清洗并同时双面制绒、后过酸、背面沉积alob层、背面和正面分别沉积sinx减反射膜、进行丝网印刷、烧结和测试分选。然而，目前的工艺路线制备获得的tbc电池仍存在诸多问题，如良率和光电转换效率均较低。
3、需要说明的是，上述内容并不必然是现有技术，也不用于限制本申请的专利保护范围。
技术实现思路
1、本申请实施例...
【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述背接触太阳能电池的延伸方向上，所述硼掺杂硅层的长度为M1，所述第三隧穿氧化物层的长度为M2，所述第二磷掺杂硅层的长度为M3，且5≤M1/M3≤15，0.8≤M3/M2≤1。
3.根据权利要求2所述背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一磷掺杂硅层接触，所述第二电极与所述硼掺杂硅层接触。
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述背接触太阳能电池的延伸方向...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述背接触太阳能电池的延伸方向上，所述硼掺杂硅层的长度为m1，所述第三隧穿氧化物层的长度为m2，所述第二磷掺杂硅层的长度为m3，且5≤m1/m3≤15，0.8≤m3/m2≤1。
3.根据权利要求2所述背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一磷掺杂硅层接触，所述第二电极与所述硼掺杂硅层接触。
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述背接触太阳能电池的延伸方向上，所述第二电极的长度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨睿，赵康，柳伟，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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