一种内置PECVD反应盒的排气装置制造方法及图纸

技术编号:43887072 阅读:16 留言:0更新日期:2025-01-03 13:03
本技术公开了一种内置PECVD反应盒的排气装置,包括:真空室与等离子激活系统,所述真空室由真空室上盖板,真空室主体组成,所述真空室内相对设置喷淋电极与地电极,所述喷淋电极的上方连接一喷淋电极反应盒,所述喷淋电极反应盒的边缘下部设置可调节机构,所述地电极与下方的升降系统进行连接,所述喷淋电极反应盒、地电极与可调节机构形成封闭的反应区,在所述地电极上的镀膜温度区边缘处还按照一定间距环绕设置至少一周向内纵深的排气口。本技术的优点是:能够对工艺气体的均匀性进行控制,从而不受工件尺寸变化的影响,可以将镀膜工件越来越大所造成的镀膜不均匀影响降至最低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏,具体涉及一种内置pecvd反应盒的排气装置。


技术介绍

1、目前工业广泛采用的pecvd沉积系统,是一个真空电磁系统,真空压力在10-500pa,在真空室内常采用一对平板形状的电极来激发等离子系统,工艺气体通过喷淋状的电极进入到反应区,并通过电极激发形成等离子体在工件衬底上进行反应,形成薄膜沉积或蚀刻表面,反应完成后,工艺气体及反应气体通过排气孔排出反应区;激发等离子的这两个电极板分别为接地的正极和用来激发等离子体的激发电极(负极)。通常用设频13.56mhz(rf)和甚高频40mhz或60mhz(vhf),激发一个射频或甚高频阻抗匹配器与一个提供等离子体激发功率的电源相连接。行业中工艺气体进入反应区多通过多孔状的喷淋电极进入反应区,但对于反应后的排气大多采用开放式排气方式。

2、现有技术通过喷淋电极的喷淋通道进气来控制气体的均匀性,在反应的初期可保证镀膜的初期的均匀性,但随着反应的进行,气体均匀性受开放的排气扰动,气体的均匀性会受到影响,且随着工件的尺寸越来越大,气体的均匀性越来越难以保证。


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技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种内置PECVD反应盒的排气装置,其特征在于,包括:真空室与等离子激活系统,所述真空室由真空室上盖板,真空室主体组成,所述真空室内相对设置喷淋电极与地电极,所述喷淋电极的上方连接一喷淋电极反应盒,所述喷淋电极反应盒的边缘下部设置可调节机构,所述地电极与下方的升降系统进行连接,所述喷淋电极反应盒、地电极与可调节机构形成封闭的反应区,在所述地电极上的镀膜温度区边缘处还按照一定间距环绕设置至少一周向内纵深的排气口。

2.根据权利要求1所述的内置PECVD反应盒的排气装置,其特征在于,所述排气口的形状为圆形,长圆孔,矩形,正方形、梯形或十字型,或者它们的组合

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【技术特征摘要】

1.一种内置pecvd反应盒的排气装置,其特征在于,包括:真空室与等离子激活系统,所述真空室由真空室上盖板,真空室主体组成,所述真空室内相对设置喷淋电极与地电极,所述喷淋电极的上方连接一喷淋电极反应盒,所述喷淋电极反应盒的边缘下部设置可调节机构,所述地电极与下方的升降系统进行连接,所述喷淋电极反应盒、地电极与可调节机构形成封闭的反应区,在所述地电极上的镀膜温度区边缘处还按照一定间距环绕设置至少一周向内纵深的排气口。

2.根据权利要求1所述的内置pecvd反应盒的排气装置,其特征在于,所述排气口的形状为圆形,长圆孔,矩形,正方形、梯形或十字型,或者它们的组合。

3.一种内置pecvd反应盒的排气装置,其特征在于,包括:真空室与等...

【专利技术属性】
技术研发人员:张迎春赵永飞白仁华
申请(专利权)人:捷造科技宁波有限公司
类型:新型
国别省市:

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