【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体去胶工艺设备，具体地说是一种去胶工艺腔室内旋转机构的防水罩结构。
技术介绍
1、目前在半导体去胶工艺中，随着工艺的更新与发展，作用于晶圆表面的药水种类越来越多，使用的药水的压力及流量越来越大，原有去胶工艺腔室内旋转机构的密封结构所采用的防水罩不能很好地保护电机。
2、具体来说，半导体去胶工艺设备中一般由承载台直接承接晶圆，承载台通过转接轴002的上端连接，转接轴002的下端伸入至现有技术的防水罩001的顶部凸台的中心处的通孔中，转接轴002的外周设有用于罩住现有技术的防水罩001的顶部凸台的弯折边沿部0021。如图1所示，现有技术的防水罩001的顶部凸台的外周面一般仅为圆柱面状，而在进行半导体去胶工艺过程中，当药水流量或压力过大时，药水容易直接顺着现有技术的防水罩001的顶部凸台外周面与转接轴002的弯折边沿部0021之间的缝隙流入现有技术的防水罩001内侧并到达与转接轴002连接的电机所在区域，而使得电机有容易损坏的风险。
技术实现思路
1、针对上述问题，本技...
【技术保护点】
1.一种去胶工艺腔室内旋转机构的防水罩结构，包括防水罩主体(1)，所述防水罩主体(1)的外周面向下延伸、并使防水罩主体(1)的内侧形成容纳空间(100)，其特征在于：所述防水罩主体(1)的顶面中部设置有中心凸台部(101)，所述中心凸台部(101)的顶面的高度位置高于所述防水罩主体(1)的顶面的高度位置，所述中心凸台部(101)的中心处开设有转接轴穿过孔(102)，所述转接轴穿过孔(102)与所述容纳空间(100)相连通，所述中心凸台部(101)的外周面顶部向外周延伸凸设有横向阻挡边沿(103)，所述横向阻挡边沿(103)的下表面与所述防水罩主体(1)的顶面之间具有间
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【技术特征摘要】
1.一种去胶工艺腔室内旋转机构的防水罩结构，包括防水罩主体(1)，所述防水罩主体(1)的外周面向下延伸、并使防水罩主体(1)的内侧形成容纳空间(100)，其特征在于：所述防水罩主体(1)的顶面中部设置有中心凸台部(101)，所述中心凸台部(101)的顶面的高度位置高于所述防水罩主体(1)的顶面的高度位置，所述中心凸台部(101)的中心处开设有转接轴穿过孔(102)，所述转接轴穿过孔(102)与所述容纳空间(100)相连通，所述中心凸台部(101)的外周面顶部向外周延伸凸设有横向阻挡边沿(103)，所述横向阻挡边沿(103)的下表面与所述防水罩主体(1)的顶面之间具有间隙a。
2.根据权利要求1所述的一种去胶工艺腔室内旋转机构的防水罩结构，其特征在于：所述横向阻挡边沿(103)的下表面上的远离所述中心凸台部(101)的外周面处向下延伸凸设有竖直环状凸起(104)，所述竖直环状凸起(104)的内侧面与所述中心凸台部(101)的外周面之间具有间隙b。
3.根据权利要求1所述的一种去...
【专利技术属性】
技术研发人员：向浩源，刘迟，刘忠贺，胡嗣卓，李巍，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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