System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体激光光源装置制造方法及图纸_技高网

半导体激光光源装置制造方法及图纸

技术编号:43885271 阅读:77 留言:0更新日期:2024-12-31 19:10
温度控制模块(4)安装于金属底座(1)之上。支承块(5)安装于温度控制模块(4)之上。电介质基板(6)的背面与支承块(5)的侧面接合。在电介质基板(6)的主面设置有差动驱动用信号线路(7a、7b),并安装有半导体光调制元件(10)。第1引脚(2b、2c)与差动驱动用信号线路(7a、7b)的一端连接。差动驱动用信号线路(7a、7b)的另一端与半导体光调制元件(10)通过引线连接。温度控制模块(4)与第2引脚(2e、2f)通过引线连接。电介质基板(6)在金属底座(1)侧具有切口(6a)。在切口(6a)的内部空间配置有温度控制模块(4)以及支承块(5)的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及通过温度控制模块进行半导体光调制元件的温度控制的半导体激光光源装置


技术介绍

1、sns、视频共享服务等正在世界范围内普及,数据传送的容量正在加速增长。为了通过有限的安装空间应对信号的高速大容量化,光收发器的高速化和小型化正在推进。对于光器件,除了高速化和低成本化之外,为了抑制运行成本,还要求低耗电化。

2、作为搭载有半导体光调制元件的激光光源装置的构造,一般采用能够廉价地产品化的to-can(transistor-outlined can)型。在to-can构造中,通常使用玻璃将引脚密封固定于金属底座。由于利用了各自的热膨胀系数差所带来的压力,所以为了确保高气密性,引脚的配置和引脚彼此的间隔很重要。

3、半导体光调制元件根据由发热引起的温度变化,振荡波长或光输出发生变化。因此,对于搭载有半导体光调制元件的激光光源装置,为了将半导体光调制元件的温度保持为恒定,使用温度控制模块(例如参照专利文献1)。

4、专利文献1:日本专利第5188625号说明书

5、在现有构造中,在第1电介质基板安装有半导体调制元件,在金属底座上的支承块安装有第2电介质基板,第2电介质基板的高频线路与引脚接合,将第1电介质基板的高频线路与第2电介质基板的高频线路通过导电性引线连接。因此,因引脚与半导体调制元件之间的阻抗不匹配或电感成分增加,而高频特性发生劣化。另外,因第2电介质基板和对其进行安装的支承块的存在,而成本增加。另外,由于向半导体光调制元件的电信号输入是单相驱动方式,所以耗电变高。


技术实现思路

1、本公开是为了解决如上述那样的课题而完成的,其目的在于,得到能够提高高频特性并且能够减少成本和耗电的半导体激光光源装置。

2、本公开所涉及的半导体激光光源装置的特征在于,具备:金属底座;第1引脚及第2引脚,贯通上述金属底座;温度控制模块,安装于上述金属底座之上;支承块,安装于上述温度控制模块之上;电介质基板,具有彼此相反侧的主面及背面,并且上述背面与上述支承块的侧面接合;差动驱动用信号线路,设置于上述电介质基板的上述主面;半导体光调制元件,安装于上述电介质基板的上述主面;导电性接合材料,将上述第1引脚与上述差动驱动用信号线路的一端连接;第1导电性引线,将上述差动驱动用信号线路的另一端与上述半导体光调制元件连接;以及第2导电性引线,将上述温度控制模块与上述第2引脚连接,上述电介质基板在上述金属底座侧具有切口,在上述切口的内部空间配置有上述温度控制模块以及上述支承块的一部分。

3、在本公开中,电介质基板在金属底座侧具有切口,在切口的内部空间配置有温度控制模块以及支承块的一部分。由此,由于能够将安装有半导体调制元件的电介质基板延伸至金属底座附近,所以不经由其他电介质基板就能够将电介质基板的差动驱动用信号线路与引脚连接。由此,能够提高高频特性,减少成本。另外,由于向半导体光调制元件的电信号输入方式是差动驱动方式,所以和现有的单相驱动方式相比,能够减小信号发生器的电压振幅,并且能够减少信号发生器的耗电。

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【技术保护点】

1.一种半导体激光光源装置,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

9.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

13.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体激光光源装置,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体激光光源装置,其特征在于,

【专利技术属性】
技术研发人员:福岛飒太中野诚二
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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