用于使用光电离进行过程污染物检测的分压力计组件及相关联的方法技术

一种光电离传感器组件包括壳体，其限定具有第一端和相对的第二端的腔室，并且该腔室对于分析物气体和非分析物气体是可渗透的。辐射源被构造成将光子发射到腔室中。第一、第二和第三电极位于腔室中。光子电离分析物气体，不足以电离非分析物气体，并且引起光电子从第三电极射出。控制器被构造成接收总压力的测量，并且电偏置电极以便以取决于总压力的比率收集第一电子和第二电子上的光电子。控制器被构造成确定在总压力下聚集在第一和第二电极上的光电子的比率，并且通过使用所确定的比率校正测量的电流来确定由于电离引起的电流的量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

所公开的专利技术一般涉及压力计领域，并且具体地涉及供在半导体处理工具上的故障检测中使用的分压力计，其中该仪表利用高能光子来选择性地测量减压的惰性气体中的污染物。

技术介绍

1、现代集成电路(ic)制造从高纯度半导体晶圆开始，并且然后这些晶圆在数周或数月的时段内经过数百个严格控制的过程步骤。在晶圆完成这些步骤后，它被切割成大量更小的管芯。这些管芯随后被封装，并且由此产生的装置(例如ic)成为许多现代电子器件装置的核心(find a home at the heart of)。以高产量生产高性能半导体装置要求严格控制晶圆周围的微环境。在不同的生产步骤中，由于暴露于某些过程污染物，部分完成的装置或多或少存在损坏的风险。举例来说，在接触晶体管的源极或漏极区域中所涉及的金属层的生长期间的痕量氧暴露可能增加该层的电阻并使装置时间常数降级，从而降低产量。作为第二示例，残留到晶圆表面的痕量碳氢化合物污染物可能使半导体处理工具(例如光刻光学器件)的部件降级。作为第三示例，在电介质沉积的金属化中使用的前体化学物质可能从腔室中未完全清除，或者可能从过程腔室泄漏回到转移腔室中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于测量气体的总压力的传感器组件，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述辐射源朝向所述腔室的所述第一端定位。

3.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述腔室的所述第二端至少部分向周围环境开放。

4.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述第三电极包括金。

5.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述辐射源至少部分被所述壳体包围。

6.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述第一电极和所述第二电极之间的距离与所述第二电极和所述第三电极之间的距离的比率约为8：1。

7.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于测量气体的总压力的传感器组件，包括：

2.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述辐射源朝向所述腔室的所述第一端定位。

3.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述腔室的所述第二端至少部分向周围环境开放。

4.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述第三电极包括金。

5.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述辐射源至少部分被所述壳体包围。

6.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述第一电极和所述第二电极之间的距离与所述第二电极和所述第三电极之间的距离的比率约为8：1。

7.根据权利要求1所述的传感器组件，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的至少一个包括格栅。

8.一种被配置成在存在非分析物气体的情况下测量分析物气体的光电离传感器组件，包括：

9.根据权利要求8所述的光电离传感器，其中，所述测量的电流的校正还包括从在所述第一传导电极上测量的所述电流中减去在所述第二传导电极上测量的所述电流的一部分。

10.根据权利要求8所述的光电离传感器，还包括安装在凸缘上并被配置成测量总压力并将测量的总压力提供给所述控制器的压力计。

11.根据权利要求8所述的光电离传感器，其中，所述腔室的所述第二端至少部分向周围环境开放。

12.根据权利要求8所述的光电离传感器，其中，所述第三传导电极包括金。

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【专利技术属性】
技术研发人员：S·M·布里格林，M·F·沃莱罗，J·G·威利，
申请(专利权)人：英福康公司，
类型：发明
国别省市：