提升晶圆WAT测试产能的测试方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种提升晶圆WAT测试产能的测试方法及系统，涉及LED技术领域，所述方法包括：根据目标点测颗数分别对当前批次内的晶圆进行分区处理，以选取目标芯粒；依次对当前晶圆内的目标芯粒进行WAT测试；若当前晶圆内的目标芯粒均完成WAT测试，则对当前晶圆内的目标芯粒进行AutoRetest判断后继续对当前批次内的下一晶圆内的目标芯粒进行WAT测试，否则，继续对当前晶圆内未进行WAT测试的目标芯粒进行WAT测试；若当前批次内的目标芯粒均完成AutoRetest处理，则对当前批次内的目标芯粒进行SPC判断。采用本发明专利技术，可有效控制异常产出，自动化效率提升，产能提升，提高产品直通率，保质保量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led，尤其涉及一种提升晶圆wat测试产能的测试方法及系统。

技术介绍

1、近年来，半导体技术得到迅速发展。在半导体芯片的生产过程中，晶圆可接受性测试(wafer acceptance test，简称：wat)作为芯片质量的检测工艺扮演着重要的角色，其位于晶圆完成制作工艺流程之后、晶圆测试(cp)之前，用来测量特定结构的电性参数，以检验制造过程的质量、稳定性及工艺平台的电性规格等是否满足要求，对晶圆的生产制造进行精确控制和评估，贯穿于晶圆生产的整个工艺制造过程。

2、如图1所示，传统的wat测试采用的是设定x、y方向步距进行跳测的测试方式，测试所需芯粒数，将探针扎在对应芯片的n、p焊盘，通过施加电压/电流，测得相应芯粒的光电性参数值。其中，x、y方向步距需要根据整片晶圆扫描的总颗粒数以及单颗芯粒长宽比，计算出当测试所需颗数时，x、y分别设置多少，具体的计算公式为：

3、

4、y＝x×长宽比

5、然而，由于晶圆为圆形，根据以上公式计算x、y设置步距时，实际测试芯粒数会大于所需点测颗数，而测试芯粒数本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提升晶圆WAT测试产能的测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的提升晶圆WAT测试产能的测试方法，其特征在于，所述对当前晶圆内的目标芯粒进行AutoRetest判断后继续对当前批次内的下一晶圆内的目标芯粒进行WAT测试的步骤包括：

3.如权利要求2所述的提升晶圆WAT测试产能的测试方法，其特征在于，所述重新对当前晶圆内的目标芯粒进行WAT测试时：

4.如权利要求2所述的提升晶圆WAT测试产能的测试方法，其特征在于，所述重新对当前晶圆内的目标芯粒进行WAT测试时，用新的WAT测试结果覆盖上一次的WAT测试结果。p>

5.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种提升晶圆wat测试产能的测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的提升晶圆wat测试产能的测试方法，其特征在于，所述对当前晶圆内的目标芯粒进行autoretest判断后继续对当前批次内的下一晶圆内的目标芯粒进行wat测试的步骤包括：

3.如权利要求2所述的提升晶圆wat测试产能的测试方法，其特征在于，所述重新对当前晶圆内的目标芯粒进行wat测试时：

4.如权利要求2所述的提升晶圆wat测试产能的测试方法，其特征在于，所述重新对当前晶圆内的目标芯粒进行wat测试时，用新的wat测试结果覆盖上一次的wat测试结果。

5.如权利要求1所述的提升晶圆wat测试产能的测试方法，其特征在于，所述根据目标点测颗数分别对当前批次内的晶圆进行分区处理，以选取目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨振鹏，王晓明，赵晓明，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：