【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装,尤其是涉及一种小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板、其制备方法及封装方法。
技术介绍
1、目前,市场对于sic芯片的功率模块的需求增强迅速。在传统的封装过程中,锡合金焊接工艺已经不能满足sic芯片的优势,为充分发挥sic芯片的优势,银烧结工艺的使用有效缓解了该项短板。
2、在sic芯片烧结过程中,由于amb陶瓷覆铜板的铜层、陶瓷层、芯片、烧结材料等的热膨胀系数不同产生热应力,使得amb陶瓷覆铜板弯曲,不平整,对后续的封装带来较大的影响,因此需要使用尺寸较大的amb陶瓷覆铜板作为基板,以保证的强度同时满足配合多电子绝缘和键合引线的布局。越大的陶瓷基板尺寸,在烧结封装后会带来越大的基板弯曲度,若单纯的缩小amb陶瓷覆铜板,无法满足配合多电子元件的绝缘与键合引线的布局。
3、因此,针对上述问题本专利技术急需提供一种小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板的制备方法及封装方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种小尺寸增强抗翘曲的amb陶瓷覆铜板结构设计方法
...【技术保护点】
1.一种小尺寸抗翘曲的AMB陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的小尺寸抗翘曲的AMB陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:小尺寸抗翘曲的AMB陶瓷覆铜板上,各DBC陶瓷覆铜板(2)外侧边缘距相邻的小尺寸的AMB陶瓷覆铜板(1)外侧边缘的间距为0.2mm-1.0mm。
3.根据权利要求1所述的小尺寸抗翘曲的AMB陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的小尺寸抗翘曲的AMB陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:
5.根据权利要求3所述的小尺寸抗翘曲的AMB陶瓷覆铜板的制备方法
...【技术特征摘要】
1.一种小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板上,各dbc陶瓷覆铜板(2)外侧边缘距相邻的小尺寸的amb陶瓷覆铜板(1)外侧边缘的间距为0.2mm-1.0mm。
3.根据权利要求1所述的小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:
4.根据权利要求3所述的小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于:
5.根据权利要求3所述的小尺寸抗翘曲的amb陶瓷覆铜板的制备方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:高晓斌,雷米·阿兰·吉列明,梁杰,王轶,滕杨杨,
申请(专利权)人:赛晶亚太半导体科技浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:
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